[發明專利]摻鎵晶體硅鍋底料的回收方法、摻鎵晶體硅

在審

• 申請號: 202011570162.0
• 申請日: 2021-04-21
• 公開（公告）號: CN112853483A
• 公開（公告）日: 2021-05-28
• 發明（設計）人: 羅鴻志;何亮;李建敏;張細根;宋紹林;黃俊;鄒貴付;甘勝泉
• 申請（專利權）人: 賽維LDK太陽能高科技（新余）有限公司
• 主分類號: C30B29/06
• 分類號: C30B29/06;C30B28/06;C30B15/00;C30B11/00
• 代理公司: 南昌逸辰知識產權代理事務所(普通合伙) 36145
• 代理人: 劉曉敏

1.一種摻鎵晶體硅鍋底料的回收方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1：砸碎；將鍋底料砸碎，制備得到一定粒度的小料；

S2：烘烤；將所述小料在一定溫度下烘烤一定時間，并自然降溫冷卻；

S3：酸洗；將所述烘烤完的所述小料浸入酸溶液中進行一定時間的酸洗；

S4：清洗烘干；將酸洗后的所述小料用清水漂洗干凈，并烘干；

S5：提純；將所述清洗烘干后的小料裝入晶體生長爐中進行長晶提純排雜，制備得到摻鎵回收硅錠；

S6：去頭尾；將所述提純后的所述摻鎵回收硅錠的頭部或頭部和尾部去除一定長度，得到摻鎵硅塊原料。

2.根據權利要求1所述的摻鎵晶體硅鍋底料的回收方法，其特征在于，所述步驟S1中所述小料的粒徑為5-20mm。

3.根據權利要求1所述的摻鎵晶體硅鍋底料的回收方法，其特征在于，所述步驟S2中所述烘烤溫度為30-600度，所述烘烤時間為10-180分鐘。

4.根據權利要求1所述的摻鎵晶體硅鍋底料的回收方法，其特征在于，所述步驟S3中所述酸溶液為鹽酸、硫酸或氫氟酸中的至少一種，浸泡時間為1-4小時。

5.根據權利要求4所述的摻鎵晶體硅鍋底料的回收方法，其特征在于，所述步驟S3中所述酸溶液為質量分數65％-98％的硫酸，浸泡時間是1.5-3小時；或，所述步驟S3中所述酸溶液為質量分數20％-37％的鹽酸，浸泡時間是1-4小時。

6.根據權利要求1所述的摻鎵晶體硅鍋底料的回收方法，其特征在于，所述步驟S4中將所述酸洗后的所述小料用超聲波和純水漂洗干凈。

7.根據權利要求1所述的摻鎵晶體硅鍋底料的回收方法，其特征在于，所述步驟S5中所述晶體生長爐為鑄錠爐，將所述清洗烘干后的小料裝入所述鑄錠爐中，經加熱、熔化、長晶、退火、冷卻完成提純鑄錠。

8.根據權利要求1所述的摻鎵晶體硅鍋底料的回收方法，其特征在于，步驟S6中，所述摻鎵硅錠的頭部或頭部和尾部去除5-20mm。

9.一種摻鎵晶體硅，其特征在于，采用如權利要求1-8任一所述制備的摻鎵硅塊原料，與純料和多晶回收料，按照一定的質量占比放入晶體生長爐中，在根據目標電阻率選取一定的母合金，經過加熱，熔化，長晶，退火，冷卻生長得到所述摻鎵晶體硅錠。

10.根據權利要求9所述的摻鎵晶體硅，其特征在于，所述晶體生長爐為鑄錠爐，所述摻鎵硅塊原料作為太陽能直拉單晶硅錠的原料，所述摻鎵硅塊原料的質量占比為5％-10％，所述純料的質量占比為70％-95％，所述多晶回收料的質量占比為10％-25％，所述目標電阻率為1.5歐姆.厘米；

所述晶體生長爐為鑄錠爐，所述摻鎵硅塊原料作為鑄錠多晶硅錠的原料，所述摻鎵硅塊原料的質量占比為10％-25％，所述純料的質量占比為30％-50％，所述多晶回收料的質量占比為25％-60％，所述目標電阻率為1.4歐姆.厘米；

或，所述晶體生長爐為鑄錠爐，所述摻鎵硅塊原料作為鑄錠單晶硅錠的原料，所述摻鎵硅塊原料的質量占比為10％-25％，所述純料的質量占比為50％-70％，所述多晶回收料的質量占比為30％-50％，所述目標電阻率為1.4歐姆.厘米。