[發明專利]一種多線路薄銅箔FPC及其制造工藝

在審

• 申請號: 202011570019.1
• 申請日: 2020-12-26
• 公開（公告）號: CN112566367A
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發明（設計）人: 林均秀;陳浪;邵家坤
• 申請（專利權）人: 珠海元盛電子科技股份有限公司
• 主分類號: H05K1/11
• 分類號: H05K1/11;H05K1/09;H05K3/00;H05K3/02;H05K3/06;H05K3/42
• 代理公司: 廣州市紅荔專利代理有限公司 44214
• 代理人: 王賢義

1.一種多線路薄銅箔FPC，其特征在于：它包括PI基材（1），所述PI基材（1）上開設有若干個通孔（2），所述PI基材（1）的表面和所述通孔（2）的孔壁上均包覆有導電層（3），所述導電層（3）上疊合有鍍銅層（4）。

2.根據權利要求1所述的一種多線路薄銅箔FPC，其特征在于：所述鍍銅層（4）的厚度為9-12um。

3.根據權利要求2所述的一種多線路薄銅箔FPC，其特征在于：所述鍍銅層（4）的厚度為10um。

4.一種多線路薄銅箔FPC的制造工藝，其特征在于：所述制造工藝包括以下步驟：

步驟a、開料：取PI基材（1）；

步驟b、打孔:對步驟a中的所述PI基材（1）上鉆孔；

步驟c、導電層（3）處理:對步驟b中打完孔的所述PI基材（1）進行導電層（3）附著處理，PI基材（1）不導電，在PI基材（1）上鍍銅需要在基材表面附上一層導電物質，作為后面電鍍的媒體；

步驟d、鍍銅: 對附著導電層（3）后的所述PI基材（1）進行鍍銅，鍍銅厚度根據產品需要決定；

步驟e、貼干膜：在已覆銅的PI基材（1）的兩面貼上干膜；

步驟f、曝光顯影：將貼上干膜的PI基材（1）進行曝光，對曝光后的干膜進行顯影，將線路區干膜保留下來，間隙區干膜去掉，另一面銅箔的干膜將整體保留下來；

步驟g、蝕刻脫膜：將顯影后的所述PI基材（1）進行蝕刻，沒有干膜保護的間隙區的鍍銅被去掉，再將所述PI基材（1）上下面的干膜全部脫掉后，形成了所需的線路；

步驟h、AOI檢驗：利用AOI設備對PI基材（1）進行檢測；

步驟i、貼覆蓋膜：將覆蓋膜壓在線路上，對線路形成保護層；

步驟j、測試分切；

步驟k、檢查包裝。

5.根據權利要求4所述的多線路薄銅箔FPC的制造工藝，其特征在于：在步驟c中，導電層（3）附著處理包括以下步驟：

真空電鍍：在高真空下將銅或銅合金的金屬靶材利用高溫方法令其釋放出金屬離子，吸附在PI基材（1）表面和孔壁，形成一層導電媒體。

6.根據權利要求4所述的多線路薄銅箔FPC的制造工藝，其特征在于：在步驟c中，導電層（3）附著處理包括以下步驟：

濺射：用高能離子束將銅或銅合金轟擊出金屬離子，在高壓下離子定向附著在PI基材（1）表面和孔壁，形成一層導電媒體。

7.根據權利要求4所述的多線路薄銅箔FPC的制造工藝，其特征在于：在步驟c中，導電層（3）附著處理包括以下步驟：

離子注入：給銅或銅合金離子加速到具備較高能量，直接轟擊PI基材（1），視能量大小金屬離子將全部或部分嵌入PI基材（1），這樣將在膜表面和孔壁形成一層導電媒體。