[發(fā)明專利]MOS型肖特基二極管結(jié)構(gòu)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011567716.1
• 申請日: 2020-12-25
• 公開（公告）號: CN114695567A
• 公開（公告）日: 2022-07-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王艷春
• 申請（專利權(quán)）人: 比亞迪半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/06
• 代理公司: 深圳眾鼎專利商標(biāo)代理事務(wù)所(普通合伙) 44325
• 代理人: 張美君

本發(fā)明提供了一種MOS型肖特基二極管結(jié)構(gòu)，MOS型肖特基二極管結(jié)構(gòu)包括設(shè)置于陰極背面金屬層上的N型襯底層；位于N型襯底層上的N型外延層；內(nèi)嵌在N型外延層上表面的多個(gè)MOS區(qū)域；多個(gè)MOS區(qū)域沿第一方向分布；覆蓋在N型外延層和多個(gè)MOS區(qū)域上的金屬陽極接觸層；MOS區(qū)域的頂部在第一方向的第一寬度小于MOS區(qū)域的底部在第一方向的第二寬度，MOS區(qū)域的頂部靠近金屬陽極接觸層。能夠在增加肖特基區(qū)域?qū)挾鹊耐瑫r(shí)，增大了MOS區(qū)域的底部寬度，實(shí)現(xiàn)降低高溫漏電流和導(dǎo)通壓降，提高了MOS型肖特基二極管的耐壓和開關(guān)速度，且在對MOS型肖特基二極管施加反向電壓時(shí)，各MOS區(qū)域產(chǎn)生的耗盡層仍然能夠連接。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種MOS型肖特基二極管結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

現(xiàn)有技術(shù)中MOS型肖特基二極管的結(jié)構(gòu)在需要降低MOS型肖特基二極管的導(dǎo)通壓降時(shí)，采用的技術(shù)為增加MOS型肖特基二極管的肖特基區(qū)域?qū)挾取?/p>

現(xiàn)有技術(shù)中降低MOS型肖特基二極管的導(dǎo)通壓降的方式還存在以下缺陷：在增加肖特基區(qū)域的寬度后，MOS區(qū)域的寬度也會隨之變窄，而MOS區(qū)域?qū)挾茸冋瓡斐蒑OS型肖特基二極管的耐壓降低和高溫漏電流增大的問題出現(xiàn)。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于上述問題，本發(fā)明實(shí)施例的目的在于提供一種MOS型肖特基二極管結(jié)構(gòu)，以解決現(xiàn)有技術(shù)中降低MOS型肖特基二極管的導(dǎo)通壓降的方式導(dǎo)致耐壓降低和高溫漏電流增大的問題。

為了解決上述問題，本發(fā)明實(shí)施例公開了一種MOS型肖特基二極管結(jié)構(gòu)，包括：

設(shè)置于陰極背面金屬層上的N型襯底層；

位于所述N型襯底層上的N型外延層；

內(nèi)嵌在所述N型外延層上表面的多個(gè)MOS區(qū)域；所述多個(gè)MOS區(qū)域沿第一方向分布；

覆蓋在所述N型外延層和所述多個(gè)MOS區(qū)域上的金屬陽極接觸層；所述MOS區(qū)域的頂部在所述第一方向的第一寬度小于所述MOS區(qū)域的底部在所述第一方向的第二寬度，所述MOS區(qū)域的頂部靠近所述金屬陽極接觸層，所述第一方向?yàn)榇怪庇谒鯪型外延層厚度的方向。

本發(fā)明實(shí)施例包括以下優(yōu)點(diǎn)：設(shè)置MOS型肖特基二極管結(jié)構(gòu)包括：設(shè)置于陰極背面金屬層上的N型襯底層；位于N型襯底層上的N型外延層；內(nèi)嵌在N型外延層上表面的多個(gè)MOS區(qū)域；多個(gè)MOS區(qū)域沿第一方向分布；覆蓋在N型外延層和多個(gè)MOS區(qū)域上的金屬陽極接觸層；MOS區(qū)域的頂部在第一方向的第一寬度小于MOS區(qū)域的底部在第一方向的第二寬度，MOS區(qū)域的頂部靠近金屬陽極接觸層，所述第一方向?yàn)榇怪庇谒鯪型外延層厚度的方向。由于MOS區(qū)域的頂部在第一方向的第一寬度小于MOS區(qū)域的底部在第一方向的第二寬度，從而在增加肖特基區(qū)域?qū)挾鹊耐瑫r(shí)，增大了MOS區(qū)域的底部寬度，實(shí)現(xiàn)降低高溫漏電流和導(dǎo)通壓降，提高了MOS型肖特基二極管的耐壓和開關(guān)速度，且在對MOS型肖特基二極管施加反向電壓時(shí)，各MOS區(qū)域產(chǎn)生的耗盡層仍然能夠連接。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的一種MOS型肖特基二極管結(jié)構(gòu)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明的另一種MOS型肖特基二極管結(jié)構(gòu)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明的一種具有條形MOS區(qū)域的MOS型肖特基二極管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明的一種具有柵欄形MOS區(qū)域的MOS型肖特基二極管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本發(fā)明實(shí)施例的一種具有圓形MOS區(qū)域的MOS型肖特基二極管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是本發(fā)明實(shí)施例的一種具有方形MOS區(qū)域的MOS型肖特基二極管的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。