[發明專利]MOS型肖特基二極管結構在審
| 申請號： | 202011567716.1 | 申請日： | 2020-12-25 |
| 公開（公告）號： | CN114695567A | 公開（公告）日： | 2022-07-01 |
| 發明（設計）人： | 王艷春 | 申請（專利權）人： | 比亞迪半導體股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/872 | 分類號： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳眾鼎專利商標代理事務所(普通合伙) 44325 | 代理人： | 張美君 |
| 地址： | 518119 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | mos 型肖特基 二極管 結構 | ||
1.一種MOS型肖特基二極管結構，其特征在于，包括：
設置于陰極背面金屬層上的N型襯底層；
位于所述N型襯底層上的N型外延層；
內嵌在所述N型外延層上表面的多個MOS區域；所述多個MOS區域沿第一方向分布；所述第一方向為垂直于所述N型外延層厚度的方向；
覆蓋在所述N型外延層和所述多個MOS區域上的金屬陽極接觸層；所述MOS區域的頂部在所述第一方向的第一寬度小于所述MOS區域的底部在所述第一方向的第二寬度，所述MOS區域的頂部靠近所述金屬陽極接觸層。
2.根據權利要求1所述的結構，其特征在于，所述MOS區域在所述第一方向的寬度沿第二方向逐漸增大；所述第二方向為所述金屬陽極接觸層指向所述陰極背面金屬層的方向。
3.根據權利要求1所述的結構，其特征在于，所述第一寬度的范圍為1um至5um。
4.根據權利要求3所述的結構，其特征在于，所述第二寬度與所述第一寬度的差值范圍為1um至2um。
5.根據權利要求1所述的結構，其特征在于，所述MOS區域的頂部與底部之間的高度范圍為1um至3um。
6.根據權利要求1所述的結構，其特征在于，所述多個MOS區域中相鄰兩個所述MOS區域頂部之間的間距范圍為3um至8um。
7.根據權利要求1所述的結構，其特征在于，所述N型外延層的濃度范圍為1×1015cm-3至8×1016cm-3，厚度范圍為10um至150um。
8.根據權利要求1所述的結構，其特征在于，所述N型襯底層的濃度范圍為1×1018cm-3至1×1019cm-3，厚度范圍為300um至500um。
9.根據權利要求1所述的結構，其特征在于，所述金屬陽極接觸層的厚度范圍為0.5um至1um，所述陰極背面金屬層的厚度范圍為1um至2um。
10.根據權利要求1所述的結構，其特征在于，所述MOS區域包括氧化層和位于所述氧化層上的多晶硅層，所述氧化層的厚度范圍為0.2um至0.5um。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于比亞迪半導體股份有限公司，未經比亞迪半導體股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011567716.1/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
