[發(fā)明專利]多用途導(dǎo)通絕緣測(cè)試設(shè)備在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011566479.7 | 申請(qǐng)日: | 2020-12-25 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112666497A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-04-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳飛勝;張鎮(zhèn)正;張翼;黃望遠(yuǎn);梁承貴;張志達(dá) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 湖南高至科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01R31/58 | 分類號(hào): | G01R31/58 |
| 代理公司: | 長(zhǎng)沙國(guó)科天河知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 43225 | 代理人: | 邱軼 |
| 地址: | 410000 湖南省長(zhǎng)沙市長(zhǎng)沙高*** | 國(guó)省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 多用途 絕緣 測(cè)試 設(shè)備 | ||
1.一種多用途導(dǎo)通絕緣測(cè)試設(shè)備,其特征在于,所述測(cè)試包括:
測(cè)試終端、檢測(cè)設(shè)備和導(dǎo)通測(cè)試儀;
所述導(dǎo)通測(cè)試儀通過(guò)以太網(wǎng)與所述測(cè)試終端連接;
所述測(cè)試終端與所述檢測(cè)設(shè)備通過(guò)接口連接;
所述導(dǎo)通測(cè)試儀通過(guò)測(cè)試工裝與電纜網(wǎng)的連接器或電子設(shè)備的連接器對(duì)應(yīng)連接;
所述檢測(cè)設(shè)備的紅表筆和黑表筆連接所述導(dǎo)通測(cè)試儀;
所述導(dǎo)通測(cè)試儀包括:多個(gè)接口測(cè)試卡、以太網(wǎng)交換機(jī)以及電源模塊;
所述多個(gè)接口測(cè)試卡包括至少一個(gè)主接口測(cè)試卡,其他接口測(cè)試卡與所述主接口測(cè)試卡通過(guò)級(jí)聯(lián)方式連接,所述其他接口測(cè)試卡的輸入通道與所述測(cè)試工裝對(duì)應(yīng);
所述檢測(cè)設(shè)備的紅表筆和黑表筆連接所述主接口測(cè)試卡的輸出通道;
所述多個(gè)接口測(cè)試卡均通過(guò)所述電源模塊供電;所述以太網(wǎng)交換機(jī)通過(guò)以太網(wǎng)與所述測(cè)試終端以及所述多個(gè)接口測(cè)試卡連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)試設(shè)備,其特征在于,所述接口測(cè)試卡包括:兩路測(cè)量通道、MCU以及存儲(chǔ)模塊;
所述測(cè)量通道包括:測(cè)試連接器、繼電器矩陣以及驅(qū)動(dòng)隔離模塊;
所述測(cè)試連接器、繼電器矩陣以及驅(qū)動(dòng)隔離模塊依次連接,所述驅(qū)動(dòng)隔離模塊與所述MCU連接,所述MCU與所述存儲(chǔ)模塊連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的測(cè)試設(shè)備,其特征在于,所述測(cè)量通道還包括測(cè)試接口;
所述測(cè)試接口包括繼電器矩陣,所述繼電器矩陣由多個(gè)獨(dú)立繼電器組成;
所述多個(gè)獨(dú)立繼電器的公共端分別連接所述測(cè)試連接器的輸入通道。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的測(cè)試設(shè)備,其特征在于,所述測(cè)試連接器為矩形連接器。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的測(cè)試設(shè)備,其特征在于,所述導(dǎo)通測(cè)試儀的接口包括:紅香蕉接口、黑香蕉接口、兩個(gè)RJ45接口、電源插座以及電源開(kāi)關(guān);
所述導(dǎo)通測(cè)試儀通過(guò)RJ45接口與所述測(cè)試終端連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的測(cè)試設(shè)備,其特征在于,所述測(cè)試終端與所述檢測(cè)設(shè)備通過(guò)RS232接口連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的測(cè)試設(shè)備,其特征在于,所述檢測(cè)設(shè)備包括:程控?cái)?shù)字萬(wàn)用表和程控絕緣電阻測(cè)試儀。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的測(cè)試設(shè)備,其特征在于,所述電源模塊交流輸入電壓范圍為90V~264V,輸出直流電壓為24V。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的測(cè)試設(shè)備,其特征在于,所述MCU為STM32系列單片機(jī)。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的測(cè)試設(shè)備,其特征在于,所述驅(qū)動(dòng)隔離模塊為單通道輸出光耦。
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G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R31-00 電性能的測(cè)試裝置;電故障的探測(cè)裝置;以所進(jìn)行的測(cè)試在其他位置未提供為特征的電測(cè)試裝置
G01R31-01 .對(duì)相似的物品依次進(jìn)行測(cè)試,例如在成批生產(chǎn)中的“過(guò)端—不過(guò)端”測(cè)試;測(cè)試對(duì)象多點(diǎn)通過(guò)測(cè)試站
G01R31-02 .對(duì)電設(shè)備、線路或元件進(jìn)行短路、斷路、泄漏或不正確連接的測(cè)試
G01R31-08 .探測(cè)電纜、傳輸線或網(wǎng)絡(luò)中的故障
G01R31-12 .測(cè)試介電強(qiáng)度或擊穿電壓
G01R31-24 .放電管的測(cè)試
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