[發(fā)明專利]一種芯片研磨方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011566126.7
• 申請日: 2020-12-25
• 公開（公告）號: CN112786445A
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 左振宏;趙一誠
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州芯聯(lián)成軟件有限公司
• 主分類號: H01L21/3105
• 分類號: H01L21/3105;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/687
• 代理公司: 蘇州言思嘉信專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32385
• 代理人: 劉巍

本發(fā)明公開了一種芯片研磨方法，包括以下步驟：(1)、首先采用固定夾具對目標芯片進行固定；(2)、采用干法刻蝕對目標芯片的氧化層進行刻蝕；(3)、接著采用離子束刻蝕機對目標芯片的金屬層進行刻蝕及污染層的清理；(4)、最后對目標芯片經(jīng)刻蝕后的表面進行研磨拋光，使之平整；本發(fā)明的有益效果是，通過固定夾具對目標芯片能夠起到很好地固定作用，便于后期對目標芯片研磨均勻，采用等離子刻蝕及離子束刻蝕的氣體異相性，能夠?qū)δ繕诵酒慕饘賹雍脱趸瘜舆M行可控的去除，便于對芯片更好地進行研磨。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及研磨裝置技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種芯片研磨方法。

背景技術(shù)

目前超大芯片去層方法是將所需要分析的部分切割下來，作為小芯片進行去層并進行分析，這種方法已經(jīng)無法適應(yīng)市場對完整芯片功能的分析，但是如果直接對超大芯片進行去層分析時，其中超大芯片研磨的問題有兩個方面：第一是超大芯片面積較大，研磨時表面不均勻；第二是芯片較大手工研磨無法維持恒定的研磨力度，造成芯片表面不平整。

鑒于上述情況，有必要對現(xiàn)有的研磨方法加以改進，使其能夠適應(yīng)現(xiàn)在對超大芯片研磨的需要。

發(fā)明內(nèi)容

由于目前對于芯片研磨時,對于一些比較大的芯片通常是將需要分析的部分切割下來，然后對其進行去層分析，但是這種分析具有不完整性，若是對超大芯片直接進行去層分析時，研磨時其研磨表面不均勻，并且研磨力度不一樣的話，容易造成芯片表面不平整；因此我們在現(xiàn)有技術(shù)缺陷的基礎(chǔ)上設(shè)計了一種芯片研磨方法，能夠更好地對超大芯片進行直接研磨工作，并且能夠保證對芯片的研磨均勻及研磨力度。

實現(xiàn)上述目的本發(fā)明的技術(shù)方案為，一種芯片研磨方法，包括以下步驟：

(1)、首先采用固定夾具對目標芯片進行固定；

(2)、采用干法刻蝕對目標芯片的氧化層進行刻蝕；

(3)、接著采用離子束刻蝕機對目標芯片的金屬層進行刻蝕及污染層的清理；

(4)、最后對目標芯片經(jīng)刻蝕后的表面進行研磨拋光，使之平整。

對本技術(shù)方案的進一步補充，固定夾具包括夾具框架、安裝于夾具框架上的支撐桿、套設(shè)于支撐桿上的彈簧、設(shè)置于支撐桿下方的底座、設(shè)置于底座下方的目標芯片；目標芯片處于研磨的中心位置。

對本技術(shù)方案的進一步補充，所述夾具框架呈“口”字形，其下方設(shè)有凹槽，底座卡接在凹槽內(nèi)；所述支撐桿貫穿夾具框架的上下表面且凸出設(shè)置于夾具框架的上端，所述支撐桿的下端與底座的上表面固定連接，所述彈簧的一端頂靠在夾具框架的內(nèi)表面，另一端頂靠在底座的上表面；目標芯片鑲嵌在底座的下表面。

對本技術(shù)方案的進一步補充，所述底座上位于目標芯片的兩端還鑲嵌有補償芯片，該補償芯片與目標芯片連接，其厚度大于目標芯片的厚度。

對本技術(shù)方案的進一步補充，補償芯片和目標芯片外包覆有一層樹脂。

對本技術(shù)方案的進一步補充，所述底座的強度大于目標芯片的強度。

對本技術(shù)方案的進一步補充，干法刻蝕采用等離子刻蝕。

其有益效果在于，首先通過固定夾具對目標芯片能夠起到很好地固定作用，便于后期對目標芯片研磨均勻，采用等離子刻蝕及離子束刻蝕的氣體異相性，能夠?qū)δ繕诵酒慕饘賹雍脱趸瘜舆M行可控的去除，便于對芯片更好地進行研磨；目標芯片兩側(cè)設(shè)有補償芯片，補償芯片與目標芯片外側(cè)設(shè)有樹脂，研磨時會先裸露出補償芯片，然后繼續(xù)研磨目標芯片上的樹脂逐漸減薄，直至目標芯片表面露出，該過程可以觀察目標芯片上樹脂變化的情況來判斷研磨過程是否均勻，便于人們進行使用。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的整體安裝結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明目標芯片工作狀態(tài)下安裝在底座上的結(jié)構(gòu)示意圖；