[發明專利]一種芯片研磨方法

在審

• 申請號: 202011566126.7
• 申請日: 2020-12-25
• 公開（公告）號: CN112786445A
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發明（設計）人: 左振宏;趙一誠
• 申請（專利權）人: 蘇州芯聯成軟件有限公司
• 主分類號: H01L21/3105
• 分類號: H01L21/3105;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/687
• 代理公司: 蘇州言思嘉信專利代理事務所(普通合伙) 32385
• 代理人: 劉巍

1.一種芯片研磨方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)、首先采用固定夾具對目標芯片進行固定；

(2)、采用干法刻蝕對目標芯片的氧化層進行刻蝕；

(3)、接著采用離子束刻蝕機對目標芯片的金屬層進行刻蝕及污染層的清理；

(4)、最后對目標芯片經刻蝕后的表面進行研磨拋光，使之平整。

2.根據權利要求1所述的一種芯片研磨方法，其特征在于，固定夾具包括夾具框架、安裝于夾具框架上的支撐桿、套設于支撐桿上的彈簧、設置于支撐桿下方的底座、設置于底座下方的目標芯片；目標芯片處于研磨的中心位置。

3.根據權利要求2所述的一種芯片研磨方法，其特征在于，所述夾具框架呈“口”字形，其下方設有凹槽，底座卡接在凹槽內；所述支撐桿貫穿夾具框架的上下表面且凸出設置于夾具框架的上端，所述支撐桿的下端與底座的上表面固定連接，所述彈簧的一端頂靠在夾具框架的內表面，另一端頂靠在底座的上表面；目標芯片鑲嵌在底座的下表面。

4.根據權利要求3所述的一種芯片研磨方法，其特征在于，所述底座上位于目標芯片的兩端還鑲嵌有補償芯片，該補償芯片與目標芯片連接，其厚度大于目標芯片的厚度。

5.根據權利要求4所述的一種芯片研磨方法，其特征在于，補償芯片和目標芯片外包覆有一層樹脂。

6.根據權利要求3所述的一種芯片研磨方法，其特征在于，所述底座的強度大于目標芯片的強度。

7.根據權利要求1所述的一種芯片研磨方法，其特征在于，干法刻蝕采用等離子刻蝕。