[發明專利]一種晶圓級封裝工藝及晶圓級封裝結構在審
| 申請號: | 202011565608.0 | 申請日: | 2020-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN112670192A | 公開(公告)日: | 2021-04-16 |
| 發明(設計)人: | 殷晨暉;陳勝;江勇;虞亞運 | 申請(專利權)人: | 蘇州科陽半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L23/10 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
| 地址: | 215143 江蘇省蘇州市蘇州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 晶圓級 封裝 工藝 結構 | ||
本發明涉及半導體封裝技術領域,公開了一種晶圓級封裝工藝及晶圓級封裝結構。晶圓包括基板,基板上呈矩陣分布有多個功能區,每個功能區周圍設置有焊墊,晶圓級封裝工藝包括步驟:在覆蓋板上制作支撐圍堰,以形成呈矩陣分布的多個凹槽,支撐圍堰包括用于圍成凹槽的棱邊,棱邊的內側端部凹設有鋸齒段;通過絲網印刷工藝在支撐圍堰上涂覆鍵合膠;將覆蓋板及涂覆有鍵合膠的支撐圍堰鍵合于晶圓上,支撐圍堰通過鍵合膠與焊墊處緊密結合,功能區容納于凹槽內。本發明的晶圓級封裝工藝,不易污染功能區、封裝效果好、成品率高。本發明晶圓級封裝結構,其通過采用上述的晶圓級封裝工藝,封裝質量好。
技術領域
本發明涉及半導體封裝技術領域,尤其涉及一種晶圓級封裝工藝及晶圓級封裝結構。
背景技術
晶圓級封裝工藝相對于傳統封裝工藝而言,其在封裝過程中是以晶圓(每個晶圓呈矩陣設置有多個芯片)為單位,將晶圓整體封裝后再以芯片為單位進行切割。
如圖1所示,晶圓100′包括基板101′,基板101′上呈矩陣設置有多個功能區102′(圖1僅展示了基板101′上一個功能區102′處的結構),每個功能區102′的周圍設置若干個焊墊103′,焊墊103′用于實現晶圓100′與外部結構的電性連接。現有技術中,如圖2和圖3所示,晶圓100′的封裝過程大致包括:制作適當尺寸的覆蓋板200′;在覆蓋板200′上制作支撐圍堰300′,并形成凹槽400′;通過滾筒600′進行滾膠的方式在支撐圍堰300′上附著鍵合膠700′;將附著有鍵合膠700′的支撐圍堰300′和覆蓋板200′一起鍵合在晶圓100′上,支撐圍堰300′與焊墊103′部分緊密結合,凹槽400′和基板101′將功能區102′包覆在一個封閉的空間內。但是,一方面,如圖2所示,滾筒滾膠時,尤其是對于功能區尺寸較大的晶圓,支撐圍堰面積占比較小,膠水容易掉落在支撐圍堰300′與覆蓋板200′形成的凹槽400′內形成殘留膠,在鍵合后殘留膠可能會污染功能區102′;另一方面,如1所示,基板101′的焊墊103′處往往設置有沉槽104′,在將支撐圍堰300′鍵合在基板101′上時,如圖3所示,鍵合膠700′會填充進沉槽104′內,而滾筒滾膠的方式所能涂覆的鍵合膠700′厚度有限,因此在將支撐圍堰300′和晶圓100′壓緊后,鍵合膠700′無法充分填平而在焊墊103′附近產生氣泡500′,導致最終的晶圓封裝結構不良品率增加。
因此,亟需發明一種晶圓級封裝工藝及晶圓級封裝結構來解決上述技術問題。
發明內容
本發明的第一個目的在于提出一種晶圓級封裝工藝,不易污染功能區、封裝效果好、成品率高。
本發明的第二個目的在于提出一種晶圓級封裝結構,其通過采用上述的晶圓級封裝工藝,封裝質量好。
為達此目的,本發明采用以下技術方案:
一種晶圓級封裝工藝,晶圓包括基板,基板上呈矩陣分布有多個功能區,每個所述功能區周圍設置有焊墊,所述晶圓級封裝工藝包括步驟:
在覆蓋板上制作支撐圍堰,以形成呈矩陣分布的多個凹槽,所述支撐圍堰包括用于圍成所述凹槽的棱邊,所述棱邊的內側端部凹設有鋸齒段;
通過絲網印刷工藝在所述支撐圍堰上涂覆鍵合膠;
將所述覆蓋板及涂覆有所述鍵合膠的所述支撐圍堰鍵合于所述晶圓上,所述支撐圍堰通過所述鍵合膠與所述焊墊處緊密結合,所述功能區容納于所述凹槽內。
可選地,所述支撐圍堰的拐角位置內側設置有弧形凹槽,所述弧形凹槽的兩端分別與位于相鄰兩個所述棱邊上的所述鋸齒段連接。
可選地,所述支撐圍堰的所述棱邊的長度為L1,該棱邊上的所述鋸齒段的長度為L2,其中,L1/12≤L2≤L1/8。
可選地,所述鋸齒段包括多個鋸齒,每個所述鋸齒的截面均為正三角形。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
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H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





