[發(fā)明專利]一種晶圓級(jí)封裝工藝及晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011565608.0
• 申請(qǐng)日: 2020-12-25
• 公開（公告）號(hào): CN112670192A
• 公開（公告）日: 2021-04-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 殷晨暉;陳勝;江勇;虞亞運(yùn)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州科陽半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/56
• 分類號(hào): H01L21/56;H01L23/10
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 胡彬

1.一種晶圓級(jí)封裝工藝，晶圓(100)包括基板(101)，基板(101)上呈矩陣分布有多個(gè)功能區(qū)(102)，每個(gè)所述功能區(qū)(102)周圍設(shè)置有焊墊(103)，其特征在于，所述晶圓級(jí)封裝工藝包括步驟：

在覆蓋板(2)上制作支撐圍堰(3)，以形成呈矩陣分布的多個(gè)凹槽(5)，所述支撐圍堰(3)包括用于圍成所述凹槽(5)的棱邊，所述棱邊的內(nèi)側(cè)端部凹設(shè)有鋸齒段(31)；

通過絲網(wǎng)印刷工藝在所述支撐圍堰(3)上涂覆鍵合膠(4)；

將所述覆蓋板(2)及涂覆有所述鍵合膠(4)的所述支撐圍堰(3)鍵合于所述晶圓(100)上，所述支撐圍堰(3)通過所述鍵合膠(4)與所述焊墊(103)處緊密結(jié)合，所述功能區(qū)(102)容納于所述凹槽(5)內(nèi)。

2.如權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)封裝工藝，其特征在于，所述支撐圍堰(3)的拐角位置內(nèi)側(cè)設(shè)置有弧形凹槽(32)，所述弧形凹槽(32)的兩端分別與位于相鄰兩個(gè)所述棱邊上的所述鋸齒段(31)連接。

3.如權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)封裝工藝，其特征在于，所述支撐圍堰(3)的所述棱邊的長(zhǎng)度為L(zhǎng)₁，該棱邊上的所述鋸齒段(31)的長(zhǎng)度為L(zhǎng)₂，其中，L₁/12≤L₂≤L₁/8。

4.如權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)封裝工藝，其特征在于，所述鋸齒段(31)包括多個(gè)鋸齒，每個(gè)所述鋸齒的截面均為正三角形。

5.如權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)封裝工藝，其特征在于，所述絲網(wǎng)印刷工藝涂覆的所述鍵合膠(4)的厚度為15～20μm。

6.如權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)封裝工藝，其特征在于，所述支撐圍堰(3)的所述棱邊的寬度為D₂，所述絲網(wǎng)印刷工藝所采用的絲網(wǎng)(6)上與該棱邊對(duì)應(yīng)的網(wǎng)孔寬度為D₁，其中，D₂/4≤D₁≤D₂/2。

7.如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的晶圓級(jí)封裝工藝，其特征在于，所述支撐圍堰(3)的材質(zhì)為感光膠，所述支撐圍堰(3)的制作過程包括：在所述覆蓋板(2)上涂覆感光膠層，對(duì)所述感光膠層進(jìn)行曝光和顯影工藝，以形成所述支撐圍堰(3)。

8.如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的晶圓級(jí)封裝工藝，其特征在于，所述覆蓋板(2)為硅片，在所述覆蓋板(2)一側(cè)開設(shè)所述凹槽(5)以形成所述支撐圍堰(3)。

9.如權(quán)利要求8所述的晶圓級(jí)封裝工藝，其特征在于，在所述覆蓋板(2)上開設(shè)所述凹槽(5)的步驟包括：

采用光刻的方法在所述硅片的表面制作出待開槽區(qū)域；采用干法刻蝕或濕法腐蝕硅的方式在所述待開槽區(qū)域刻蝕出所述凹槽(5)；或

采用激光燒蝕方法，直接在所述硅片上制作出所述凹槽(5)。

10.一種晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，采用如權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的晶圓級(jí)封裝工藝制成。