[發(fā)明專利]紅外探測(cè)器模組的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011563618.0
• 申請(qǐng)日: 2020-12-25
• 公開（公告）號(hào): CN112670250B
• 公開（公告）日: 2022-04-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳鋼;曾廣鋒;高濤
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東莞先導(dǎo)先進(jìn)科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/043
• 分類號(hào): H01L23/043;H01L23/26;G01J5/04
• 代理公司: 北京五洲洋和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11387
• 代理人: 張婷婷;張向琨

1.一種紅外探測(cè)器模組的制造方法，其特征在于，包括步驟：

S1，提供一陶瓷基板（11），所述陶瓷基板（11）在厚度方向（H）上具有第一表面（111）和第二表面（112）；

S2，采用面沉積工藝對(duì)陶瓷基板（11）的第一表面（111）進(jìn)行金屬化并形成第一金屬層（11A）、第二金屬層（11B）和多個(gè)第三金屬層（11C），且第二金屬層（11B）環(huán)繞在第一金屬層（11A）外側(cè)、所述多個(gè)第三金屬層（11C）位于第二金屬層（11B）與第一金屬層（11A）之間；

S3，采用面沉積工藝對(duì)陶瓷基板（11）的第二表面（112）進(jìn)行金屬化并形成多個(gè)第四金屬層（11D）；

S4，在陶瓷基板（11）的第一金屬層（11A）、多個(gè)第三金屬層（11C）和多個(gè)第四金屬層（11D）上制作連接線路；

S5，采用面沉積工藝在第二金屬層（11B）上進(jìn)行金屬層堆積并形成突出于第一金屬層（11A）的金屬圍壩（12），所述金屬圍壩（12）與陶瓷基板（11）一起構(gòu)成紅外探測(cè)器模組的外殼體（1）；

S6，提供一紅外芯片（2），并將紅外芯片（2）固定在陶瓷基板（11）的第一金屬層（11A）上，且利用導(dǎo)線將紅外芯片（2）與所述多個(gè)第三金屬層（11C）電連接；

S7，提供一吸氣劑（3），并將吸氣劑（3）設(shè)置在外殼體（1）中，且在真空環(huán)境下對(duì)吸氣劑（3）進(jìn)行激活；

S8，提供一光學(xué)窗口（4）和一第一連接件（5），并在高溫真空環(huán)境下將光學(xué)窗口（4）通過第一連接件（5）固定到外殼體（1）的金屬圍壩（12）上，以使光學(xué)窗口（4）與外殼體（1）圍成封閉的探測(cè)器腔體；

在步驟S3中，采用面沉積工藝在陶瓷基板（11）的第二表面（112）上還形成有多個(gè)散熱用金屬層（11F），所述散熱用金屬層（11F）與所述多個(gè)第四金屬層（11D）間隔設(shè)置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅外探測(cè)器模組的制造方法，其特征在于，在步驟S7中，吸氣劑（3）通過高溫激活。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅外探測(cè)器模組的制造方法，其特征在于，

在步驟S3中，采用面沉積工藝在陶瓷基板（11）的第二表面（112）上還形成有多個(gè)吸氣劑用金屬層（11E）；

在步驟S7中，吸氣劑（3）通過吸氣劑用金屬層（11E）進(jìn)行通電激活。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅外探測(cè)器模組的制造方法，其特征在于，所述面沉積工藝為蒸鍍、磁控濺射、電鍍或化學(xué)鍍中的至少一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅外探測(cè)器模組的制造方法，其特征在于，金屬圍壩（12）在所述厚度方向（H）上的高度為第一金屬層（11A）的厚度的10-60倍。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅外探測(cè)器模組的制造方法，其特征在于，

紅外芯片（2）通過第二連接件（6）固定在陶瓷基板（11）的第一金屬層（11A）上；

第二連接件（6）為導(dǎo)電膠或焊料片。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅外探測(cè)器模組的制造方法，其特征在于，吸氣劑（3）設(shè)置在第一表面（111）上、并位于第二金屬層（11B）與第一金屬層（11A）之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅外探測(cè)器模組的制造方法，其特征在于，吸氣劑（3）為四個(gè)，所述四個(gè)吸氣劑（3）間隔設(shè)置。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅外探測(cè)器模組的制造方法，其特征在于，陶瓷基板（11）的第二表面（112）上的各第四金屬層（11D）為平面板狀結(jié)構(gòu)。