[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置的形成方法

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• 申請日: 2020-12-25
• 公開（公告）號: CN113053824A
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 汪于仕;楊鴻杰;李佳穎;葉柏男;邱鈺婷;林群能;葉明熙;黃國彬
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 聶慧荃;閆華

1.一種半導(dǎo)體裝置的形成方法，包括：

圖案化一光刻膠層，該光刻膠層在一介電層上方；

基于該光刻膠層的一圖案蝕刻該介電層，以在該介電層中形成一開口，所述蝕刻停止于該介電層下方的一蝕刻停止層；

當該光刻膠層在該介電層上時，蝕刻該蝕刻停止層以穿透該蝕刻停止層；以及

在該介電層中的該開口中形成一導(dǎo)電元件，該導(dǎo)電元件電性耦合至該蝕刻停止層下方的一第一金屬部件。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的形成方法，其中該介電層包括形成在其中的一第二金屬部件，其中在蝕刻該介電層的期間，該光刻膠層覆蓋該第二金屬部件的一上表面。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的形成方法，其中該蝕刻停止層包括氧化鋁。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的形成方法，其中：

使用一干式蝕刻工藝蝕刻該介電層；以及

使用一濕式蝕刻工藝蝕刻該蝕刻停止層。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的形成方法，其中該第一金屬部件包括一晶體管的一柵極電極。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的形成方法，其中該導(dǎo)電元件包括至一柵極電極的一導(dǎo)電插塞。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的形成方法，還包括：

在蝕刻該蝕刻停止層之后，蝕刻一第二介電層以露出該第一金屬部件。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置的形成方法，其中使用一干式蝕刻工藝蝕刻該第二介電層。

9.一種半導(dǎo)體裝置的形成方法，包括：

在一第一介電層上形成一掩模；

在該掩模中形成一第一開口，該第一開口露出該第一介電層的一部分；

使用該掩模作為一蝕刻掩模，蝕刻該第一介電層，以在該第一介電層中形成一第二開口，該第二開口露出一蝕刻停止層；

使用該掩模作為一蝕刻掩模，蝕刻該蝕刻停止層，以在該蝕刻停止層中形成一第三開口，該第三開口露出一第二介電層；

使用該掩模作為一蝕刻掩模，蝕刻該第二介電層，以在該第二介電層中形成一第四開口，該第四開口露出一導(dǎo)電元件；以及

在該第一介電層中形成一第一金屬部件，該第一金屬部件電性耦合至該導(dǎo)電元件。

10.一種半導(dǎo)體裝置的形成方法，包括：

在一第一介電層中形成一第一金屬部件，該第一金屬部件電性耦合至一晶體管的一源極/漏極接觸件；

在該第一介電層上沉積并圖案化一掩模層；

根據(jù)該掩模層的一圖案，圖案化該第一介電層；

當該掩模層在該第一介電層上時，根據(jù)該掩模層的該圖案，圖案化該第一介電層下方的一蝕刻停止層；

當該掩模層在該第一介電層上時，根據(jù)該掩模層的該圖案，圖案化一第二介電層，以露出該晶體管的一柵極電極；以及

形成一導(dǎo)電插塞穿過該第一介電層以及穿過該第二介電層，該導(dǎo)電插塞接觸該柵極電極。