[發明專利]形成具有用于堆疊裸片封裝的周邊輪廓的半導體裸片的方法

在審

• 申請號: 202011563035.8
• 申請日: 2020-12-25
• 公開（公告）號: CN113053813A
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發明（設計）人: 高榮范;白宗植
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種形成具有帶槽區的半導體裸片的方法，所述方法包括：

沿著切道從晶片的后側到所述晶片的所述后側與所述晶片的前側之間的中間深度形成第一通道，其中所述第一通道具有從所述后側朝向所述中間深度朝向彼此會聚的第一傾斜側壁和第二傾斜側壁；以及

通過沿著所述第一通道的第一側壁與第二側壁會合的界面區從所述晶片中的所述中間深度朝向所述晶片的所述前側進行激光切割來形成第二通道，從而使沿著所述第一側壁的一組第一半導體裸片與沿著所述第二側壁的一組第二半導體裸片分離，其中所述第一傾斜側壁限定在所述第一半導體裸片的一側處的帶槽區，且所述第二傾斜側壁限定在所述第二半導體裸片的一側處的帶槽區。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一側壁和所述第二側壁分別為第一傾斜表面和第二傾斜表面，且形成所述第一通道包括用具有傾斜刀刃的鋸片沿著所述切道切割所述晶片，所述傾斜刀刃對所述第一側壁和所述第二側壁塑形。

3.根據權利要求2所述的方法，其中所述第一通道具有V形狀。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一側壁和所述第二側壁分別為第一彎曲表面和第二彎曲表面，且形成所述第一通道包括用在一側上具有第一彎曲部分且在相對側上具有第二彎曲部分的鋸片沿著所述切道切割所述晶片。

5.根據權利要求4所述的方法，其中所述第一通道具有U形狀。

6.根據權利要求1所述的方法，其中形成所述第二通道包括在單遍激光中從所述中間深度切割到所述晶片的所述前側。

7.根據權利要求1所述的方法，其中形成所述第二通道包括使用多遍激光從所述中間深度切割到所述晶片的所述前側。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一通道和所述第二通道是在所述晶片具有第一厚度時形成的，且所述方法進一步包括使所述晶片從所述后側變薄到第二厚度，所述第二厚度薄于所述第一厚度。

9.根據權利要求1所述的方法，其中在形成所述第一通道和所述第二通道兩者時，所述晶片的所述前側附接到載體材料，所述載體材料支撐所述晶片且保護所述晶片的所述前側。

10.根據權利要求1所述的方法，其中所述第二通道具有10到20μm的寬度。

11.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一通道的至少一部分的寬度大于所述切道的寬度。

12.一種形成具有帶槽區的半導體裸片的方法，所述方法包括：

沿著切道從晶片的后側到所述晶片的所述后側與所述晶片的前側之間的中間深度切割通道，其中所述通道具有從所述后側朝向所述中間深度朝向各自會聚的第一傾斜側壁和第二傾斜側壁；

通過沿著所述通道的中線進行激光切割以形成從所述中間深度到所述晶片的所述前側的切口而使沿著所述第一傾斜側壁的第一裸片與沿著所述第二傾斜側壁的第二裸片分離，其中第一傾斜側壁限定沿著所述第一裸片的一側的帶槽區，且所述第二傾斜側壁限定沿著所述第二裸片的一側的帶槽區。

13.根據權利要求12所述的方法，其中第一側壁和第二側壁分別為第一傾斜表面和第二傾斜表面，且形成所述第一通道包括用具有傾斜刀刃的鋸片沿著所述切道切割所述晶片，所述傾斜刀刃對所述第一側壁和所述第二側壁塑形。

14.根據權利要求13所述的方法，其中所述第一通道具有V形狀。

15.根據權利要求12所述的方法，其中第一側壁和第二側壁分別為第一彎曲表面和第二彎曲表面，且形成所述第一通道包括用在一側上具有第一彎曲部分且在相對側上具有第二彎曲部分的鋸片沿著所述切道切割所述晶片。