[發(fā)明專利]掩模板圖形OPC方法、掩模板圖形、掩模板和終端設(shè)備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011562977.4
• 申請(qǐng)日: 2020-12-25
• 公開（公告）號(hào): CN112631067A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 夏明;于世瑞
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號(hào): G03F1/36
• 分類號(hào): G03F1/36
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 焦天雷

1.一種掩模板圖形OPC方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1，定義聯(lián)通圖形規(guī)則，所述聯(lián)通圖形用于聯(lián)通產(chǎn)生靜電聚集處圖形；

S2，根據(jù)所述規(guī)則通過設(shè)計(jì)規(guī)則檢測(cè)在掩模板GDS圖形標(biāo)記出所有需要聯(lián)通的圖形；

S3，根據(jù)當(dāng)前層設(shè)計(jì)規(guī)則和掩模等級(jí)定義需要聯(lián)通圖形的聯(lián)通方式和聯(lián)通尺寸；

S4，在掩模板GDS圖形中加入聯(lián)通圖形；

S5，僅對(duì)掩模板GDS圖形進(jìn)行OPC修正，不修正聯(lián)通圖形，使聯(lián)通圖形不會(huì)被曝光；

S6，對(duì)加入聯(lián)通圖形的掩模板GDS圖形進(jìn)行OPC仿真檢查，獲得最終聯(lián)通圖形。

2.如權(quán)利要求1所述的掩模板圖形OPC方法，其特征在于，所述規(guī)則包括:線寬、面積和圖形間距。

3.如權(quán)利要求1所述的掩模板圖形OPC方法，其特征在于，所述生靜電聚集處是GDS圖形在掩模板上有鉻(Cr)覆蓋的位置。

4.如權(quán)利要求1所述的掩模板圖形OPC方法，其特征在于:步驟S4中，先對(duì)掩模板GDS圖形進(jìn)行TDOPC處理再加入聯(lián)通圖形。

5.如權(quán)利要求4所述的掩模板圖形OPC方法，其特征在于:所述TDOPC處理包括重構(gòu)時(shí)加入曝光輔助圖形。

6.如權(quán)利要求1所述的掩模板圖形OPC方法，其特征在于：其能應(yīng)用于32nm、28nm、22nm、20nm以及小于16nm的工藝平臺(tái)的掩模板圖形OPC。

7.如權(quán)利要求1所述的掩模板圖形OPC方法，其特征在于：其能應(yīng)用于邏輯器件、存儲(chǔ)器件、射頻器件、高壓器件、Flash和eFlash工藝平臺(tái)的掩模板圖形OPC。

8.一種掩模板圖形，其特征在于：其由權(quán)利要求1-7任意一項(xiàng)所述的掩模板圖形OPC方法獲得。

9.一種掩模板，其特征在于：其由權(quán)利要求8所述掩模板圖形制造。

10.一種終端設(shè)備，其特征在于：其用于執(zhí)行權(quán)利要求1-7任意一項(xiàng)所述的掩模板圖形OPC方法。