[發明專利]柵極的制造方法

在審

• 申請號: 202011561763.5
• 申請日: 2020-12-25
• 公開（公告）號: CN112701034A
• 公開（公告）日: 2021-04-23
• 發明（設計）人: 付崳
• 申請（專利權）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8234
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 張彥敏

1.一種柵極的制造方法，其特征在于，包括：

S1：提供一半導體襯底，在所述半導體襯底表面依次形成柵介質層和多晶硅柵，所述半導體襯底中形成有場氧化層，由所述場氧化層隔離出有源區，空曠區、孤立圖形區和密集圖形區分別位于不同的有源區；

S2：在所述多晶硅柵的表面形成硬質掩模層，所述硬質掩膜層由第一氮化層和第二氧化層疊加而成；

S3：進行光刻刻蝕形成多個偽柵極結構，各所述偽柵極結構由刻蝕后的所述柵介質層、所述多晶硅柵和所述硬質掩模層疊加而成；

S4：在各所述偽柵極結構的側面形成側墻；

S5：在所述偽柵極結構兩側的有源區中形成器件的源區和漏區，在形成器件的源區和漏區的過程中包括組件增強工藝，所述組件增強工藝在p型場效應晶體管的源區或漏區形成鍺硅層；

S6：形成光刻膠，光刻膠在密集圖形區高出偽柵極結構15nm至25nm之間，在空曠區高出襯底90nm至110nm之間；

S7：進行第一次光刻膠的回刻刻蝕，將所有多晶硅柵上的光刻膠打開；

S8：進行第二次光刻膠的回刻刻蝕，去除硬質掩模層的第二氧化層；以及

S9：去除多晶硅柵，在多晶硅柵的去除區域形成金屬柵。

2.根據權利要求1所述的柵極的制造方法，其特征在于，在S6中從密集圖形區、孤立圖形區至空曠區光刻膠的頂部高度依次減小。

3.根據權利要求1所述的柵極的制造方法，其特征在于，在S6中光刻膠在密集圖形區高出偽柵極結構20nm，在空曠區高出半導體襯底100nm。

4.根據權利要求1所述的柵極的制造方法，其特征在于，S7中第一次光刻膠的回刻刻蝕刻蝕掉45nm至65nm的光刻膠。

5.根據權利要求4所述的柵極的制造方法，其特征在于，第一次光刻膠的回刻刻蝕刻蝕掉55nm的光刻膠。

6.根據權利要求1所述的柵極的制造方法，其特征在于，在S6和S7之間還包括S61：通過一道光刻工藝，將大塊多晶硅柵上的光刻膠打開。

7.根據權利要求1所述的柵極的制造方法，其特征在于，所述半導體襯底為硅襯底。

8.根據權利要求1所述的柵極的制造方法，其特征在于，所述柵介質層包括高介電常數層。

9.根據權利要求1所述的柵極的制造方法，其特征在于，所述場氧化層為淺溝槽場氧。

10.根據權利要求9所述的柵極的制造方法，其特征在于，采用淺溝槽隔離工藝形成所述淺溝槽場氧。