[發明專利]有機發光二極管顯示裝置及其制造方法在審
| 申請號: | 202011560984.0 | 申請日: | 2020-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN113130587A | 公開(公告)日: | 2021-07-16 |
| 發明(設計)人: | 高永周;邊宇中;李東潤;金成洙;崔光龍 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光二極管 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
提供了一種有機發光二極管顯示裝置及其制造方法。有機發光二極管顯示裝置包括:基板,在基板中限定有像素區域和非像素區域;形成在基板上的電源線;覆蓋電源線的緩沖膜;形成在緩沖膜上的有源互連線;輔助互連線,穿過緩沖膜延伸并且將有源互連線的一端連接至輔助電極;第一鈍化膜,覆蓋輔助互連線并且具有穿過第一鈍化膜形成的接觸孔,在接觸孔內形成有底切結構,使得有源互連線通過底切結構暴露;和發光元件,包括在像素區域內順序堆疊在第一鈍化膜上的第一電極、發光層和第二電極,其中第二電極延伸至非像素區域中,使得第二電極連接至有源互連線的通過接觸孔內的底切結構暴露的部分。
相關申請的交叉引用
本申請要求于2019年12月31日提交的韓國專利申請No.10-2019-0180134的優先權,為了所有目的通過引用將該專利申請的整個內容并入本文。
技術領域
本發明涉及一種有機發光二極管(OLED)顯示裝置及其制造方法。
背景技術
隨著信息社會的進步,已經開發了各種類型的顯示裝置。近來,已經使用了諸如液晶顯示器(LCD)、等離子體顯示面板(PDP)和有機發光二極管(OLED)顯示裝置之類的各種顯示裝置。
由于構成有機發光二極管顯示裝置的有機發光元件是自發光元件,因此這種有機發光二極管顯示裝置不需要附加的光源,從而實現薄而輕的顯示裝置。此外,這種有機發光二極管(OLED)顯示裝置表現出諸如功耗低、亮度高、反應速度快之類的高質量特性。
OLED顯示裝置包括多個像素的陣列,每個像素包括晶體管、電容器和發光元件。隨著顯示裝置的分辨率和尺寸的增加,布置在顯示裝置中的像素的數量和密度也相應增加。為了確保這種較大的高密度顯示裝置的操作和性能可靠性,需要降低制造工藝的復雜度并且提高產率。
具體地,有機發光二極管(OLED)顯示裝置在接觸孔內具有底切結構,一個電極通過接觸孔連接至另一個電極。在這種情況下,需要防止在形成底切結構之后由于互連線短路而引起的缺陷,并且針對OLED顯示裝置的生產效率來優化制造工藝。
發明內容
考慮到相關技術中出現的問題而做出了本發明,并且本發明的一個目的在于,提供一種具有簡化的底切結構的OLED顯示裝置。
本發明的另一個目的在于,提供一種制造具有簡化的底切結構的OLED顯示裝置的方法。
本發明的目的不限于上述目的,所屬領域技術人員將從下面的描述清楚地理解以上未提及的其他目的和優點。
為了實現本發明的目的之一,根據本發明一些示例性實施方式的有機發光二極管(OLED)顯示裝置包括:基板,在所述基板中限定有像素區域和非像素區域;形成在所述基板上的輔助電極;覆蓋所述輔助電極的緩沖膜;形成在所述緩沖膜上的有源互連線;輔助互連線,所述輔助互連線穿過所述緩沖膜延伸并且將所述有源互連線的一端連接至所述輔助電極;第一鈍化膜,所述第一鈍化膜覆蓋所述輔助互連線并且具有穿過所述第一鈍化膜形成的接觸孔,其中在所述接觸孔內形成有底切結構,使得通過所述底切結構暴露所述有源互連線;和發光元件,所述發光元件包括在所述像素區域內依次地堆疊在所述第一鈍化膜上的第一電極、發光層和第二電極,其中所述第二電極延伸至所述非像素區域中,使得所述第二電極連接至通過位于所述接觸孔內的底切結構暴露的所述有源互連線的一部分。
在本發明的一些實施方式中,所述第二電極可沿著所述有源互連線的上表面延伸并且延伸到所述底切結構中,以與所述輔助互連線連接。
在本發明的一些實施方式中,所述第一鈍化膜的一部分在所述有源互連線上方向外突出,并且所述發光層可不形成在所述有源互連線的與所述第一鈍化膜交疊的上表面上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





