[發明專利]有機發光二極管顯示裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 202011560984.0
• 申請日: 2020-12-25
• 公開（公告）號: CN113130587A
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發明（設計）人: 高永周;邊宇中;李東潤;金成洙;崔光龍
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種有機發光二極管(OLED)顯示裝置，包括：

基板，在所述基板中限定有像素區域和非像素區域；

形成在所述基板上的輔助電極；

覆蓋所述輔助電極的緩沖膜；

形成在所述緩沖膜上的有源互連線；

輔助互連線，所述輔助互連線穿過所述緩沖膜延伸并且將所述有源互連線的一端連接至所述輔助電極；

第一鈍化膜，所述第一鈍化膜覆蓋所述輔助互連線并且具有接觸孔，所述接觸孔穿過所述第一鈍化膜形成，并且在所述接觸孔中形成有底切結構，使得所述有源互連線通過所述底切結構暴露；和

發光元件，所述發光元件包括在所述像素區域內依次地堆疊在所述第一鈍化膜上的第一電極、發光層和第二電極，

其中所述第二電極延伸至所述非像素區域中，使得所述第二電極連接至所述有源互連線的通過所述接觸孔內的底切結構暴露的部分。

2.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示裝置，其中所述第二電極沿著所述有源互連線的上表面延伸并且到達所述底切結構內的位置，從而在所述底切結構內與所述輔助互連線連接。

3.根據權利要求2所述的有機發光二極管顯示裝置，其中所述第一鈍化膜的一部分從所述接觸孔的壁表面突出并且在所述接觸孔內在所述有源互連線的上方向外突出，使得在從上方觀看時所述第一鈍化膜與所述有源互連線部分地交疊，并且

所述發光層不形成在所述有源互連線的與所述第一鈍化膜交疊的部分的上表面上。

4.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示裝置，還包括驅動晶體管，所述驅動晶體管形成在所述基板上并且驅動所述發光元件，

其中所述驅動晶體管包括電連接至所述發光元件的第一電極的柵極電極和漏極電極，并且

所述柵極電極、所述漏極電極和所述輔助互連線在相同的工藝步驟中形成。

5.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示裝置，還包括設置有濾色器的輔助基板，所述輔助基板通過填料與所述基板接合。

6.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示裝置，其中所述底切結構的上端由所述第一鈍化膜的下表面限定。

7.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示裝置，其中所述第一鈍化膜的一部分從所述接觸孔的壁表面突出并且在所述接觸孔內在所述有源互連線的上方向外突出，使得在從上方觀看時所述第一鈍化膜與所述有源互連線部分地交疊，并且

所述第二電極延伸以覆蓋所述有源互連線的在從上方觀看時與所述第一鈍化膜交疊的部分的上表面。

8.根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示裝置，還包括用以填充所述底切結構的第二鈍化膜。

9.一種制造有機發光二極管(OLED)顯示裝置的方法，所述方法包括：

在基板上形成輔助電極，其中在所述基板中限定有像素區域和非像素區域；

形成緩沖膜以覆蓋所述輔助電極；

在所述緩沖膜上形成有源互連線；

形成輔助互連線，所述輔助互連線形成為穿過所述緩沖膜并且配置為將至少一個所述輔助電極連接至所述有源互連線；

形成覆蓋所述輔助互連線的鈍化膜；

蝕刻所述非像素區域內的鈍化膜，使得所述輔助互連線的一部分暴露；

通過部分地蝕刻暴露的輔助互連線來形成接觸孔，使得在所述接觸孔內產生底切結構；和

形成發光元件，所述發光元件包括依次地形成在所述鈍化膜上的第一電極、發光層和第二電極，

其中所述第二電極延伸至所述非像素區域中，以連接至通過所述底切結構暴露的有源互連線。

10.根據權利要求9所述的方法，其中形成所述有源互連線包括：

在所述緩沖膜上形成由硅基半導體或氧化物基半導體制成的有源圖案；并且

對所述有源圖案執行等離子體處理工藝或熱處理工藝，使得所述半導體變為導電的。