[發(fā)明專利]成膜裝置、成膜方法以及電子器件的制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011559965.6 | 申請日: | 2020-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN113046694A | 公開(公告)日: | 2021-06-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 金栽賢;永田透 | 申請(專利權(quán))人: | 佳能特機(jī)株式會社 |
| 主分類號: | C23C14/12 | 分類號: | C23C14/12;C23C14/24;C23C14/04;C23C14/50;C23C14/54;H01L51/00;H01L51/56 |
| 代理公司: | 中國貿(mào)促會專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038 | 代理人: | 史雁鳴 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 裝置 方法 以及 電子器件 制造 | ||
本發(fā)明涉及一種用于抑制成膜精度降低或者卡緊性能變差的成膜裝置。本發(fā)明的成膜裝置配備有:掩膜一體型載置器,所述掩膜一體型載置器保持基板并且兼用作進(jìn)行成膜動作時的掩膜;輸送機(jī)構(gòu),所述輸送機(jī)構(gòu)在輸送方向上輸送所述掩膜一體型載置器;處理部,所述處理部對被保持于所述掩膜一體型載置器的基板進(jìn)行處理;以及溫度調(diào)整機(jī)構(gòu),所述溫度調(diào)整機(jī)構(gòu)在所述輸送方向上配置于所述處理部的上游側(cè)或者下游側(cè),用于調(diào)整所述掩膜一體型載置器的溫度。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一邊輸送基板一邊進(jìn)行成膜的成膜裝置、成膜方法以及電子器件的制造方法。
背景技術(shù)
在有機(jī)EL顯示裝置(有機(jī)EL顯示器)的制造過程中,在形成構(gòu)成有機(jī)EL顯示裝置的有機(jī)發(fā)光元件(有機(jī)EL元件;OLED)時,通過將從成膜裝置的蒸發(fā)源蒸發(fā)出的蒸鍍材料經(jīng)由形成有像素圖案的掩膜對基板進(jìn)行成膜,形成有機(jī)物層或金屬層。
在這種成膜裝置或包含有該成膜裝置的成膜系統(tǒng)中,存在有所謂的成組式的系統(tǒng)和串列式的系統(tǒng)。
在成組式的成膜系統(tǒng)中,在基板上進(jìn)行成膜的多個成膜室呈組狀地配置在設(shè)有輸送機(jī)器人的輸送室的周圍,基板被輸送機(jī)器人依次輸送到各個成膜室進(jìn)行成膜,由此,形成構(gòu)成有機(jī)發(fā)光元件的多層的膜。
另一方面,在串列式的成膜系統(tǒng)中,搭載有成膜用的基板的輸送載置器被輥式或者磁性懸浮式的輸送機(jī)構(gòu)輸送給呈直線狀配置的多個成膜室,并且,被成膜。
串列式的成膜系統(tǒng)具有第一輸送路徑,所述第一輸送路徑包括:將基板送入的裝載部、對被搭載于輸送載置器的基板進(jìn)行成膜的成膜部、以及將基板送出的卸載部。另外,串列式的成膜系統(tǒng)具有第二輸送路徑,所述第二輸送路徑回收未搭載基板的輸送載置器。
在串列式的成膜系統(tǒng)中,基板被從成膜系統(tǒng)的外部送入第一輸送路徑的裝載部。被送入的基板被機(jī)器人以成膜面朝向上方的狀態(tài)載置到從第二輸送路徑輸送且沒有搭載基板的輸送載置器的上面。輸送載置器吸附保持基板。對于被保持于輸送載置器的基板,每個輸送載置器上下(表里)反轉(zhuǎn),在成膜面朝向下方的狀態(tài)下,被輸送給成膜部。在成膜部,利用配置在基板的下方的成膜源,經(jīng)由與輸送載置器一起被輸送的掩膜,對搭載于輸送載置器的基板進(jìn)行成膜。
成膜完畢之后,被輸送到卸載室中的輸送載置器再次表里反轉(zhuǎn),在基板的成膜面朝向上方的狀態(tài)下,被輸送給第二輸送路徑。在第二輸送路徑中移動的輸送載置器解除基板的保持。接著,利用送出機(jī)器人只將基板輸送到排出室,被送出到成膜系統(tǒng)的外部。解除對基板的保持且沒有搭載基板的輸送載置器被沿著第二輸送路徑輸送,返回到與第一輸送路徑的裝載部相對應(yīng)的位置,用于保持新的基板。
專利文獻(xiàn)1(韓國登錄專利第10-1764023號)公開了一種在串列式的成膜系統(tǒng)中采用輸送載置器兼用作掩膜的掩膜一體型載置器的結(jié)構(gòu)。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
韓國登錄專利第10-1764023號公報
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的課題
在采用掩膜一體型載置器的成膜系統(tǒng)中,由于在成膜工序中從蒸發(fā)源等產(chǎn)生的熱的緣故,掩膜一體型載置器和基板等被加熱。但是,由于掩膜一體型載置器比基板配置得更靠近蒸發(fā)源側(cè),因此,容易受到輻射熱的影響,另外,由于材質(zhì)與基板不同,因此,在掩膜一體型載置器與基板之間產(chǎn)生熱膨脹的差異。其結(jié)果是,在掩膜一體型載置器與基板之間產(chǎn)生位置偏移,成為使成膜精度降低的一個重要因素。另外,因位置偏移而使得掩膜一體型載置器卡緊基板的位置變化,卡緊并保持基板的卡緊性能也變差。
本發(fā)明的目的是提供一種能夠抑制成膜精度降低或者卡緊性能變差的成膜裝置及成膜方法。
解決課題的手段
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
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