[發明專利]一種用于清潔半導體芯片洗滌劑及其制備方法

在審

• 申請號: 202011556620.5
• 申請日: 2020-12-24
• 公開（公告）號: CN112680288A
• 公開（公告）日: 2021-04-20
• 發明（設計）人: 童晨;吳海燕;韓成強;孫元;陳桂紅
• 申請（專利權）人: 昆山晶科微電子材料有限公司
• 主分類號: C11D1/83
• 分類號: C11D1/83;C11D3/33;C11D3/04;C11D3/39;C11D3/20;C11D3/30;C11D3/60;H01L21/02
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本發明提供一種用于清潔半導體芯片洗滌劑及其制備方法。該清潔劑各組分以及各組分含量如下：乙二胺四乙酸鈉5～10wt％、氫氟酸10～15wt％、氧化劑10～15wt％、表面活性劑5～20wt％、抗靜電劑3～5wt％、有機溶劑15～30wt％金屬防銹劑1～10wt％以及去離子水。本申請提供的供一種用于清潔半導體芯片洗滌劑，可徹底清除半導體材料器件的表面的石蠟、油脂和油脂類高分子化合物以及表面玷污的金屬原子和金屬原子，且該清潔劑中添加了抗靜電劑克服了現有技術中清潔劑引起的靜電現象，影響半導體器件的性能。同時本申請的清潔半導體芯片洗滌劑為水基清潔劑，不僅制備成本低，而且無毒性、無腐蝕性，不會對操作人員的安全和健康產生危害。

技術領域

本申請涉及一種用于清潔半導體芯片洗滌劑，特別涉及一種用于清潔半導體芯片洗滌劑及其制備方法，屬于清潔劑技術領域。

背景技術

隨著半導體技術的發展，清潔半導體用的清潔劑的需求量越來越大，而現有技術中的半導體水基清洗劑主要用于清洗半導體表面玷污的石蠟、油脂和油脂類高分子化合物以及表面玷污有金屬原子和金屬離子。但是現有技術中的清潔劑中的主要成分是酸、堿、雙氧水、苯類化合物等試劑，這些試劑不僅制備成本高，而且有毒性、腐蝕性，對操作人員的安全和健康產生危害，同時排放的物質也污染環境。因此如何提供一種綠色環保在半導體分立器件和中、小規模集成電路中能夠完全代替傳統半導體清洗工藝中使用的清洗液，是一個亟待解決的問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種用于清潔半導體芯片洗滌劑，以克服現有技術中的不能徹底清除對半導體材料器件的表面的石蠟、油脂和油脂類高分子化合物以及表面玷污的金屬原子和金屬原子不足。

本發明的目的在于提供一種用于清潔半導體芯片洗滌劑，以克服現有技術中清潔劑引起的靜電現象，影響半導體器件的性能。

本發明的目的在于提供一種用于清潔半導體芯片洗滌劑，以克服現有技術中對鋁基半導體腐蝕性較大的問題。

為實現前述發明目的，本發明采用的技術方案包括：

所述一種用于清潔半導體芯片洗滌劑，各組分以及各組分含量如下：

可選地，所述乙二胺四乙酸鈉的質量分數上限選自6wt％、7wt％、8wt％、9wt％、10wt％，所述乙二胺四乙酸鈉的質量分數下限選自5wt％、6wt％、7wt％、8wt％、9wt％。

可選地，所述氫氟酸的質量分數上限選自11wt％、12wt％、13wt％、14wt％、15wt％；所述氫氟酸的質量分數下限選自10wt％、11wt％、12wt％、13wt％、14wt％。

可選地，所述氧化劑的質量分數上限選自11wt％、12wt％、13wt％、14wt％、15wt％；所述氧化劑的質量分數下限選自10wt％、11wt％、12wt％、13wt％、14wt％。

可選地，所述表面活性劑的質量分數上限選自8wt％、10wt％、12wt％、15wt％、18wt％、20wt％；所述表面活性劑的質量分數下限選自5wt％、8wt％、10wt％、12wt％、15wt％、18wt％。

可選地，所述抗靜電劑的質量分數為3wt％。

可選地，所述抗靜電劑的質量分數為4wt％。

可選地，所述抗靜電劑的質量分數為5wt％。

可選地，所述有機溶劑的質量分數上限選自18wt％、20wt％、22wt％、25wt％、28wt％、30wt％；所述有機溶劑的質量分數下限選自15wt％、18wt％、20wt％、22wt％、25wt％、28wt％。