[發(fā)明專利]一種用于清潔半導體芯片洗滌劑及其制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202011556620.5
• 申請日: 2020-12-24
• 公開（公告）號: CN112680288A
• 公開（公告）日: 2021-04-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 童晨;吳海燕;韓成強;孫元;陳桂紅
• 申請（專利權(quán)）人: 昆山晶科微電子材料有限公司
• 主分類號: C11D1/83
• 分類號: C11D1/83;C11D3/33;C11D3/04;C11D3/39;C11D3/20;C11D3/30;C11D3/60;H01L21/02
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• 代理人: 暫無信息

1.一種用于清潔半導體芯片洗滌劑，其特征在于，各組分以及各組分含量如下：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于清潔半導體芯片洗滌劑，其特征在于，所述氧化劑選自二酰基過氧化物和酮過氧化物中的任意一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于清潔半導體芯片洗滌劑，其特征在于，所述表面活性劑選自為陰離子型表面活性劑，

優(yōu)選地，所述陰離子型表面活性劑選自十二烷基苯磺酸鈉和甘膽酸鈉中的至少一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于清潔半導體芯片洗滌劑，其特征在于，所述抗靜電劑選自乙氧基月桂酷胺和甘油一硬脂酸酯中的至少一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于清潔半導體芯片洗滌劑，其特征在于，所述有機溶劑選自乙醇、異丙醇和乙醇胺中的至少一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于清潔半導體芯片洗滌劑，其特征在于，所述金屬防銹劑選自亞硝酸鈉、苯甲酸鈉、重鉻酸鈉和三乙醇胺中的至少一種。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于清潔半導體芯片洗滌劑，其特征在于，各組分以及各組分含量乙二胺四乙酸鈉5～10wt％、氫氟酸10～15wt％、二酰基過氧化物10～15wt％、十二烷基苯磺酸鈉5～20wt％、乙氧基月桂酷胺3～5wt％、乙醇15～30wt％、亞硝酸鈉1～10wt％以及去離子水。

8.據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于清潔半導體芯片洗滌劑，其特征在于，各組分以及各組分含量乙二胺四乙酸鈉5～10wt％、氫氟酸10～15wt％、酮過氧化物10～15wt％、甘膽酸鈉5～20wt％、甘油一硬脂酸酯3～5wt％、乙醇胺15～30wt％、重鉻酸鈉1～10wt％以及去離子水。

9.一種制備權(quán)利要求1-8中任一項所述的用于清潔半導體芯片洗滌劑的方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)按照各組分以及各組分含量提供以下各物質(zhì)：乙二胺四乙酸鈉5～10wt％；氫氟酸10～15wt％；氧化劑10～15wt％；表面活性劑5～20wt％；抗靜電劑3～5wt％；有機溶劑15～30wt％；金屬防銹劑1～10wt％；以及去離子水；

(2)將乙二胺四乙酸鈉在30-60℃條件下溶于有機溶劑中，并超聲處理制得混合液A；

(3)將氫氟酸滴加到氧化劑中，在20-40℃條件下攪拌均勻，之后向混合液中加入抗靜電劑、金屬防銹劑；制得混合液B；

(4)將混合液A與去離子水攪拌均勻，之后向混合物中滴加混合液B，最后加入表面活性劑，在50-60℃條件下攪拌均勻，制得所述用于清潔半導體芯片洗滌劑。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種用于清潔半導體芯片洗滌劑的方法，其特征在于：所述氧化劑選自二酰基過氧化物和酮過氧化物中的任意一種；

優(yōu)選地，所述表面活性劑選自為陰離子型表面活性劑；

優(yōu)選地，所述陰離子型表面活性劑選自十二烷基苯磺酸鈉和甘膽酸鈉中的至少一種；

優(yōu)選地，所述抗靜電劑選自乙氧基月桂酷胺和甘油一硬脂酸酯中的至少一種；

優(yōu)選地，所述有機溶劑選自乙醇、異丙醇和乙醇胺中的至少一種；

優(yōu)選地，所述金屬防銹劑選自亞硝酸鈉、苯甲酸鈉、重鉻酸鈉和三乙醇胺中的至少一種。