[發(fā)明專利]一種太陽能電池及其制作方法

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• 申請日: 2020-12-23
• 公開（公告）號: CN112635592A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發(fā)明（設計）人: 童洪波;李華;靳玉鵬
• 申請（專利權）人: 泰州隆基樂葉光伏科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0288
• 分類號: H01L31/0288;H01L31/06;H01L31/18
• 代理公司: 北京知迪知識產(chǎn)權代理有限公司 11628
• 代理人: 付珍;王勝利

本發(fā)明公開一種太陽能電池及其制作方法，涉及光伏技術領域，以減少摻雜表面的損傷。該太陽能電池的制作方法包括：提供一硅基底；在硅基底上形成保護膜；在保護膜上形成摻雜源層；摻雜源層為由摻雜劑溶液或摻雜劑漿料形成的摻雜源膜；采用熱處理的方式將摻雜源層中的摻雜元素穿過保護膜推進到硅基底中，以對硅基底進行摻雜。本發(fā)明提供的太陽能電池及其制作方法用于太陽能電池制造。

技術領域

本發(fā)明涉及光伏技術領域，尤其涉及一種太陽能電池及其制作方法。

背景技術

制作太陽能電池的工藝主要包括：制絨、摻雜、清洗、沉積減反射膜、測試、分選等。其中，摻雜工藝可以是在硅基底表面形成摻雜源，然后進行退火推進。

當采用摻雜源涂布推進的方式進行摻雜工藝時，被摻雜表面容易受到損傷，從而影響太陽能電池的性能。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種太陽能電池及其制作方法，以減少摻雜表面的損傷。

第一方面，本發(fā)明提供一種太陽能電池的制作方法。該太陽能電池的制作方法包括：

提供一硅基底；

在硅基底上形成保護膜；

在保護膜上形成摻雜源層；摻雜源層為由摻雜劑溶液或摻雜劑漿料形成的摻雜源膜；

采用熱處理的方式將摻雜源層中的摻雜元素穿過保護膜推進到硅基底中，以對硅基底進行摻雜。

采用上述技術方案時，在擬進行摻雜的硅基底上形成保護膜，隨后在保護膜上形成摻雜源層。一方面，保護膜可以阻隔摻雜源層和硅基底直接接觸，從而可以避免摻雜源層對硅基底的腐蝕、破壞，確保所制作的太陽能電池的性能。另一方面，在熱處理工藝將摻雜源層中的摻雜元素推進到硅基底，進行摻雜處理的過程中，摻雜元素先推進到保護膜，隨著熱處理的持續(xù)進行，摻雜元素被推進到硅基底中。此時，保護膜可以容留較多的摻雜元素，避免過多的摻雜元素被推進到硅基底的表面，進而可以降低硅基底摻雜濃度過高的風險，進一步確保所制作的太陽能電池的性能。由此可見，本發(fā)明的太陽能電池的制作方法，在摻雜過程中，不僅可以避免摻雜源層對被摻雜表面的腐蝕，而且可以避免摻雜濃度過高的問題，可以容易的形成設定摻雜濃度，確保所制作的太陽能電池的性能。

在一些可能的實現(xiàn)方式中，上述保護膜為本征半導體膜。本征半導體膜不含摻雜元素，在對硅基底進行摻雜的過程中，本征半導體膜可以容留較多的摻雜元素，從而起到較好的保護硅基底的作用。

在一些可能的實現(xiàn)方式中，上述保護膜的材料包括硅、碳化硅、鍺中的至少一種。此時，保護膜的材料與硅基底的材料均為半導體材料，兩者材料性質(zhì)相似，摻雜過程較為相似，無需改變摻雜工藝，從而可以降低工藝改進所增加的成本。

在一些可能的實現(xiàn)方式中，上述保護膜的材料包括非晶半導體材料、多晶半導體材料、納米晶半導體材料、微晶半導體材料中的至少一種。此時，可以根據(jù)需要實現(xiàn)的保護效果，以及不同材料的摻雜性質(zhì)，選擇一種或多種半導體材料。

在一些可能的實現(xiàn)方式中，上述保護膜的形成工藝包括低壓化學氣相沉積工藝、常壓化學氣相沉積工藝、增強型等離子體化學氣相沉積工藝、熱絲化學氣相沉積工藝、磁控濺射中的任一種。

在一些可能的實現(xiàn)方式中，上述摻雜劑溶液含有乙醇。乙醇的質(zhì)量分數(shù)為2％～30％；摻雜源層的形成方式為涂覆方式。乙醇不僅可以起到稀釋摻雜劑，調(diào)節(jié)濃度的作用，而且當摻雜劑溶液涂覆到硅基底上時，乙醇容易揮發(fā)的性質(zhì)，可以方便的實現(xiàn)對摻雜劑溶液的固化成型，使得摻雜劑溶液能夠快速的形成摻雜源層。

在一些可能的實現(xiàn)方式中，上述摻雜劑漿料含有的摻雜劑質(zhì)量分數(shù)為0.01％～10％。摻雜源層的形成方式為涂布方式、印刷方式、轉(zhuǎn)印方式中至少一種。漿料形態(tài)的摻雜劑漿料不僅具有較好的流動性，而且具有較好的成型性，從而可以較好的形成均勻的摻雜源層。