[發(fā)明專利]一種太陽能電池及其制作方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202011556509.6
• 申請日: 2020-12-23
• 公開（公告）號: CN112635592A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 童洪波;李華;靳玉鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 泰州隆基樂葉光伏科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0288
• 分類號: H01L31/0288;H01L31/06;H01L31/18
• 代理公司: 北京知迪知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11628
• 代理人: 付珍;王勝利

1.一種太陽能電池的制作方法，其特征在于，包括：

提供一硅基底；

在所述硅基底上形成保護膜；

在所述保護膜上形成摻雜源層；所述摻雜源層為由摻雜劑溶液或摻雜劑漿料形成的摻雜源膜；

采用熱處理的方式將所述摻雜源層中的摻雜元素穿過所述保護膜推進到硅基底中，以對所述硅基底進行摻雜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，所述保護膜為本征半導(dǎo)體膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，所述保護膜的材料包括硅、碳化硅、鍺中的至少一種；和/或，

所述保護膜的材料包括非晶半導(dǎo)體材料、多晶半導(dǎo)體材料、納米晶半導(dǎo)體材料、微晶半導(dǎo)體材料中的至少一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3任一項所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，所述保護膜的形成工藝包括低壓化學(xué)氣相沉積工藝、常壓化學(xué)氣相沉積工藝、增強型等離子體化學(xué)氣相沉積工藝、熱絲化學(xué)氣相沉積工藝、磁控濺射中的任一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～3任一項所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，所述摻雜劑溶液含有乙醇，所述乙醇的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為2％～30％；所述摻雜源層的形成方式為涂覆方式。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～3任一項所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，

所述摻雜劑漿料含有的摻雜劑質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.01％～10％；所述摻雜源層的形成方式為涂布方式、印刷方式、轉(zhuǎn)印方式中至少一種。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，所述摻雜劑漿料還含有納米硅粉，所述納米硅粉的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10％～80％，所述納米硅粉的粒徑為5nm～500nm，和/或，

所述摻雜劑漿料還含有氧化硅，所述氧化硅的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10％～80％，所述氧化硅的粒徑為5nm～500nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～3任一項所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，所述摻雜源層所含有的摻雜劑為磷酸、磷酸鹽、偏磷酸、偏磷酸鹽、五氧化二磷或磷單質(zhì)，或，所述摻雜源層的所含有的摻雜劑為氮化硼、氧化硼、硼酸、碳化硼、硼硅化物、硼化鋁或硼酸鹽。

9.根據(jù)權(quán)利要求1～3任一項所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，熱處理后，所述硅基底的摻雜表面的摻雜濃度為1×10¹⁸cm^-3～4×10²⁰cm^-3。

10.根據(jù)權(quán)利要求1～3任一項所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，所述摻雜源層的摻雜元素濃度大于或等于1×10²¹cm^-3；

熱處理后，當(dāng)摻雜磷原子時，所述保護膜的摻雜濃度為2×10²⁰cm^-3～4×10²¹cm^-3，當(dāng)摻雜硼原子時，所述保護膜的摻雜濃度為1×10¹⁹cm^-3～3×10²⁰cm^-3。

11.根據(jù)權(quán)利要求1～3任一項所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，所述摻雜源層的厚度為10nm～3000nm；所述保護膜的厚度為30nm～180nm。

12.根據(jù)權(quán)利要求1～3任一項所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，在所述保護膜上形成摻雜源層包括：在保護膜的局部區(qū)域形成摻雜源層；

熱處理后，摻雜元素對所述硅基底進行局部摻雜。

13.根據(jù)權(quán)利要求1～3任一項所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，熱處理后，所述太陽能電池的制作方法包括：

去除所述保護膜和摻雜源層。