[發明專利]工件的清洗裝置以及清洗方法在審
| 申請號: | 202011551803.8 | 申請日: | 2020-12-24 |
| 公開(公告)號: | CN113053779A | 公開(公告)日: | 2021-06-29 |
| 發明(設計)人: | 若杉勝郎 | 申請(專利權)人: | 勝高股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 張澤洲;王麗輝 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 工件 清洗 裝置 以及 方法 | ||
本發明提供一種工件的清洗裝置以及清洗方法,在清洗后,能夠抑制工件的背面中央部中的粒子附著量增加。工件的清洗裝置具備:第1固定體(11),具有第1筒狀部(11a)與蓋部(11b);第2固定體(12),在內部收納第1筒狀部(11a);以及旋轉體(13),第2筒狀部(13a)配置在第1筒狀部(11a)與第2固定體(12)之間,所述工件的清洗裝置中具備:排氣口(20),設置在第1固定體(11),用于將第1固定體(11)與旋轉體(13)之間的空隙中的氣體從空隙排出;排氣管(21),配置在第1固定體(11)內,一端連接到排氣口(20);以及抽吸機構(22),連接到排氣管(21)的另一端,抽吸第1固定體(11)與旋轉體(13)之間的空隙中的氣體。
技術領域
本發明涉及一種工件的清洗裝置以及清洗方法。
背景技術
以往,作為半導體器件的基板,使用硅晶圓。關于硅晶圓,通過對以切克勞斯基(Czochralski,CZ)法等生長的單晶硅錠實施晶圓加工處理而得到。進行上述加工處理時,在硅晶圓的表面,附著研磨粉等粒子,因此加工處理后對硅晶圓實施清洗處理。
硅晶圓等工件的清洗裝置中,存在同時清洗多張工件的批次式清洗裝置以及每次清洗一張工件的單片式清洗裝置。其中,從所需要的清洗液量比較少、能夠避免晶圓間的相互污染、由于大口徑化而同時處理多張硅晶圓變得困難等觀點考慮,近年來,成為使用單片式清洗裝置。
單片式洗置裝置中,在旋轉臺上設置的工件保持部上搭載清洗對象的工件,隨著旋轉臺一起高速旋轉工件的同時,從上部噴嘴及下部噴嘴對工件的表面(正面)及背面噴射清洗液,去除粒子。這時,對工件背面噴射的清洗液有可能落到高速旋轉的旋轉臺上并跳起,再附著于工件背面而有工件背面被污染的情況。
因此,例如專利文獻1中記載有如下技術:具備接收盤,接收從下部噴嘴噴射的清洗液,通過將該接收盤設置在比下部噴嘴的旋轉臺更向上方突出的部分,抑制清洗液落到旋轉臺,并抑制工件背面污染。
專利文獻1:日本特開2008-258330號公報
但是,本發明人判斷出,使用專利文獻1中記載的清洗裝置,進行了硅晶圓的清洗,清洗后硅晶圓的背面中央部的粒子的附著量增加。
發明內容
因此,本發明的目的在于提供一種工件的清洗裝置以及清洗方法,在清洗后,能夠抑制工件的背面中央部中的粒子附著量增加。
用于解決上述課題的本發明,如以下所示。
[1]一種工件的清洗裝置,其具備:
第1固定體,具有向鉛垂方向延伸的筒狀的第1筒狀部以及覆蓋該第1筒狀部的上部的蓋部;
筒狀的第2固定體,具有比所述第1固定體的所述第1筒狀部更大的直徑,在內部收納所述第1固定體的所述第1筒狀部;
旋轉體,具有:筒狀的第2筒狀部,具有比所述第1固定體的所述第1筒狀部更大且比所述第2固定體更小的直徑;旋轉臺,配置在該第2筒狀部的上部;以及工件保持體,設置在該旋轉臺的表面,保持清洗對象的工件,所述第2筒狀部配置在所述第1固定體的所述第1筒狀部與所述第2固定體之間,該旋轉體通過所述第1固定體的所述第1筒狀部與所述旋轉體之間的空隙中配置的上下一對第1軸承以及所述第2固定體與所述旋轉體的所述第2筒狀部之間的空隙中配置的上下一對第2軸承,旋轉自如地支承于所述第1固定體及所述第2固定體;
上部噴嘴,向所述工件表面噴射清洗液;以及
下部噴嘴,配置在所述第1固定體內部的同時,固定在所述蓋部,向所述工件背面噴射清洗液,
所述工件的清洗裝置的特征在于,具備:
排氣口,設置在所述第1固定體,用于將所述第1固定體與所述旋轉體之間的空隙中的氣體從所述空隙排出;
排氣管,配置在所述第1固定體內,一端連接到所述排氣口;以及
抽吸機構,連接到所述排氣管的另一端,抽吸所述第1固定體與所述旋轉體之間的空隙中的氣體。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





