[發明專利]絕緣子針的制備方法及絕緣子針

有效

• 申請號: 202011551776.4
• 申請日: 2020-12-24
• 公開（公告）號: CN112687617B
• 公開（公告）日: 2022-07-22
• 發明（設計）人: 李仕俊;張延青;徐達;常青松;王喬楠;李增路;魏少偉;許景通;李秀琴;胡占奎;梁紅春;李壯壯;于瑞紅;康彥紅;楊亞帥
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所 13120
• 代理人: 付曉娣

本發明適用于半導體技術領域，提供了一種絕緣子針的制備方法及絕緣子針，該方法包括：分別在上基板和下基板上制備陣列方式排列的多個過孔，并在上基板和下基板的表面以及過孔內濺射種子層；通過逐層電鍍的方式，在濺射種子層的上基板和下基板的過孔內、上下表面電鍍預設高度的金屬；刻蝕掉電鍍后的上基板和下基板上未電鍍區域的種子層；在刻蝕后的上基板和下基板的金屬表面制備保護層；將制備保護層的上基板的第一圍墻和制備保護層的下基板的第三圍墻對應鍵合，形成空氣同軸絕緣子針。本發明絕緣子針的針間距一體化設計，可以提高金屬管殼高密度互聯的需求，且在絕緣子針表面形成安裝面，使射頻端就近接地隔離，損耗小且高頻特性好。

技術領域

本發明屬于半導體技術領域，尤其涉及一種絕緣子針的制備方法及絕緣子針。

背景技術

玻璃絕緣子針是金屬管殼氣密互聯的常規部件，射頻接口常用的是玻璃料支撐單根導線的單針結構，此結構中中心導體到外圈支撐金屬環的距離常規值是0.8mm，繼續壓縮難度很大。且多針排布時，針的間距、針的分布位置調整難度大。隨著射頻電路集成度提升和工作頻率的提升，傳統的絕緣子針越來越難以滿足小型化金屬管殼高密度、低損耗穿墻互聯的需要。

發明內容

有鑒于此，本發明實施例提供了一種絕緣子針的制備方法及絕緣子針，旨在解決現有技術中絕緣子針難以滿足小型化金屬管殼高密度、低損耗穿墻互聯的需要的問題。

為實現上述目的，本發明實施例的第一方面提供了一種絕緣子針的制備方法，包括：

分別在上基板和下基板上制備陣列方式排列的多個過孔，并在上基板和下基板的表面以及過孔內濺射種子層；

通過逐層電鍍的方式，在濺射種子層的上基板和下基板的過孔內、上下表面電鍍預設高度的金屬，使上基板和下基板的過孔內均填滿電鍍金屬，且上基板的上表面預設過孔采用電鍍金屬相互連接，上基板的下表面外圈過孔采用電鍍金屬連接成第一圍墻、內部過孔獨立，下基板的上表面形成外圈過孔采用電鍍金屬連接成第二圍墻、內部過孔獨立，下基板的下表面形成外圈過孔采用電鍍金屬連接成第三圍墻、內部兩側過孔采用電鍍金屬與所述第三圍墻連接；

刻蝕掉電鍍后的上基板和下基板上未電鍍區域的種子層；

在刻蝕后的上基板和下基板的金屬表面制備保護層；

將制備保護層的上基板的第一圍墻和制備保護層的下基板的第三圍墻對應鍵合，形成空氣同軸絕緣子針。

作為本申請另一實施例，所述分別在上基板和下基板上制備陣列方式排列的多個過孔，包括：

采用皮秒冷激光分別在上基板和下基板上制備陣列方式排列的多個過孔，且過孔的直徑與上基板或者下基板的厚度的比值為1/4至1/3；其中，上基板和下基板為玻璃基板或石英基板。

作為本申請另一實施例，所述過孔的橫截面為圓形；

所述過孔的直徑為70μm至125μm。

作為本申請另一實施例，所述種子層采用的金屬材料為鈦或銅。

作為本申請另一實施例，所述通過逐層電鍍的方式，在濺射種子層的上基板和下基板的過孔內、上下表面電鍍預設高度的金屬，包括：

在濺射種子層的上基板和下基板上分別旋涂光刻膠，進行光刻顯影后進行電鍍，過孔內填滿電鍍金屬，且上基板和下基板的上下表面電鍍金屬分別達到第一預設高度；

對上基板和下基板的電鍍金屬表面進行研磨和拋光處理；

在拋光處理后的上基板和下基板上分別再次旋涂光刻膠，進行光刻顯影后再次進行電鍍，使上基板和下基板的上下表面第二次電鍍的電鍍金屬達到第二預設高度；

根據第二次電鍍的方式對上基板和下基板進行電鍍，使上基板和下基板的上下表面的電鍍金屬達到最終預設高度。