[發明專利]絕緣子針的制備方法及絕緣子針

有效

• 申請號: 202011551776.4
• 申請日: 2020-12-24
• 公開（公告）號: CN112687617B
• 公開（公告）日: 2022-07-22
• 發明（設計）人: 李仕俊;張延青;徐達;常青松;王喬楠;李增路;魏少偉;許景通;李秀琴;胡占奎;梁紅春;李壯壯;于瑞紅;康彥紅;楊亞帥
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所 13120
• 代理人: 付曉娣

1.一種絕緣子針的制備方法，其特征在于，包括：

分別在上基板和下基板上制備陣列方式排列的多個過孔，并在上基板和下基板的表面以及過孔內濺射種子層；

通過逐層電鍍的方式，在濺射種子層的上基板和下基板的過孔內、上下表面電鍍預設高度的金屬，使上基板和下基板的過孔內均填滿電鍍金屬，且上基板的上表面預設過孔采用電鍍金屬相互連接，上基板的下表面外圈過孔采用電鍍金屬連接成第一圍墻、內部過孔獨立，下基板的上表面形成外圈過孔采用電鍍金屬連接成第二圍墻、內部過孔獨立，下基板的下表面形成外圈過孔采用電鍍金屬連接成第三圍墻、內部兩側過孔采用電鍍金屬與所述第三圍墻連接；

刻蝕掉電鍍后的上基板和下基板上未電鍍區域的種子層；

在刻蝕后的上基板和下基板的金屬表面制備保護層；

將制備保護層的上基板的第一圍墻和制備保護層的下基板的第三圍墻對應鍵合，形成空氣同軸絕緣子針。

2.如權利要求1所述的絕緣子針的制備方法，其特征在于，所述分別在上基板和下基板上制備陣列方式排列的多個過孔，包括：

采用皮秒冷激光分別在上基板和下基板上制備陣列方式排列的多個過孔，且過孔的直徑與上基板或者下基板的厚度的比值為1/4至1/3；其中，上基板和下基板為玻璃基板或石英基板。

3.如權利要求1所述的絕緣子針的制備方法，其特征在于，

所述過孔的橫截面為圓形；

所述過孔的直徑為70μm至125μm。

4.如權利要求1所述的絕緣子針的制備方法，其特征在于，所述種子層采用的金屬材料為鈦或銅。

5.如權利要求1至4中任一項所述的絕緣子針的制備方法，其特征在于，所述通過逐層電鍍的方式，在濺射種子層的上基板和下基板的過孔內、上下表面電鍍預設高度的金屬，包括：

在濺射種子層的上基板和下基板上分別旋涂光刻膠，進行光刻顯影后進行電鍍，過孔內填滿電鍍金屬，且上基板和下基板的上下表面電鍍金屬分別達到第一預設高度；

對上基板和下基板的電鍍金屬表面進行研磨和拋光處理；

在拋光處理后的上基板和下基板上分別再次旋涂光刻膠，進行光刻顯影后再次進行電鍍，使上基板和下基板的上下表面第二次電鍍的電鍍金屬達到第二預設高度；

根據第二次電鍍的方式對上基板和下基板進行電鍍，使上基板和下基板的上下表面的電鍍金屬達到最終預設高度。

6.如權利要求5所述的絕緣子針的制備方法，其特征在于，所述電鍍金屬為銅；

所述第一預設高度為50μm至100μm；

所述第二預設高度為150μm至300μm；

所述最終預設高度為1mm至2mm。

7.如權利要求1所述的絕緣子針的制備方法，其特征在于，所述刻蝕掉電鍍后的上基板和下基板上未電鍍區域的種子層，包括：

采用帶3D空間可調制皮秒激光剝離電鍍后的上基板和下基板上未電鍍區域的種子層，漏出上基板和下基板的基體材料。

8.如權利要求1所述的絕緣子針的制備方法，其特征在于，所述保護層的材料為金。

9.如權利要求1所述的絕緣子針的制備方法，其特征在于，鍵合采用的金屬為金。

10.一種絕緣子針，其特征在于，包括采用上述權利要求1-9中任一項所述的絕緣子針的制備方法制備得到的絕緣子針。