[發明專利]一種膜層間與量子點發光二極管膜層間成膜的方法在審

申請號：	202011551668.7	申請日：	2020-12-24
公開（公告）號：	CN114665031A	公開（公告）日：	2022-06-24
發明（設計）人：	范嘉城	申請（專利權）人：	TCL科技集團股份有限公司
主分類號：	H01L51/50	分類號：	H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
代理公司：	深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268	代理人：	劉芙蓉
地址：	516006 廣東省惠州市***	國省代碼：	廣東;44
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種膜層間量子發光二極管膜層間成膜方法
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【說明書】：

本發明公開一種膜層間與量子點發光二極管膜層間成膜的方法。方法包括步驟：提供第一膜層；在所述第一膜層上沉積具有雙親表面的輔助膜層；在所述輔助膜層的雙親表面上沉積所需的第二膜層；其中，所述第一膜層的表面極性與所述第二膜層的表面極性不同。本發明通過在難以附著的兩膜層間制備一層具有雙親表面的輔助膜層，使得無論是親水性的第二膜層材料溶液，還是親油性的第二膜層材料溶液，都能在輔助膜層上較好的成膜，這樣原來不能較好附著的第二膜層通過輔助膜層變得都能很好的附著在第一膜層上，從而極大地改善了極性不匹配膜層間的成膜質量，為成膜材料的選擇提供了更多的可能。

技術領域

本發明涉及成膜技術領域，尤其涉及一種膜層間與量子點發光二極管膜層間成膜的方法。

背景技術

自從L.E.Brus等人首次制備出膠體量子點(colloidal quantum dots，簡稱QDs)以來，膠體量子點憑借其獨特的光學特性，比如禁帶寬度易調諧、吸收光譜范圍寬、光譜純度高和光/化學性能穩定等，吸引了研究者的廣泛關注和研究。在材料科學上取得的如此大的進展，使得基于QDs的LEDs(簡稱：QLED，量子點發光二極管)替代傳統的無機和有機LEDs成為經濟的，穩定的和高效能的下一代顯示器成為可能。

目前，QLED行業發展迅速，無論是在材料的開發，還是在結構的優化上都取得了很大的進步。但對于某些性能良好的材料，因為成膜上的困難而難以應用到一起。如：親水性的溶液在親油性的基底接觸角較大，浸潤性差，難以在基底上形成均勻、致密的薄膜。

因此，現有技術有待于改進和發展。

發明內容

鑒于上述現有技術的不足，本發明的目的在于提供一種膜層間與量子點發光二極管膜層間成膜的方法，旨在解決現有膜層間因極性不匹配難以成膜的問題。

本發明的技術方案如下：

一種膜層間成膜的方法，其中，包括步驟：

提供第一膜層；

在所述第一膜層上沉積具有雙親表面的輔助膜層；

在所述輔助膜層的雙親表面上沉積所需的第二膜層；

其中，所述第一膜層的表面極性與所述第二膜層的表面極性不同。

可選地，所述輔助膜層為TiO₂層，在所述第一膜層上沉積具有雙親表面的TiO₂層的步驟具體包括：

在所述第一膜層上沉積TiO₂層，在紫外光下照射所述TiO₂層，使所述TiO₂層的表面為雙親表面，得到具有雙親表面的TiO₂層。