[發(fā)明專利]一種膜層間與量子點發(fā)光二極管膜層間成膜的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011551668.7
• 申請日: 2020-12-24
• 公開（公告）號: CN114665031A
• 公開（公告）日: 2022-06-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 范嘉城
• 申請（專利權(quán)）人: TCL科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 深圳市君勝知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44268
• 代理人: 劉芙蓉

1.一種膜層間成膜的方法，其特征在于，包括步驟：

提供第一膜層；

在所述第一膜層上沉積具有雙親表面的輔助膜層；

在所述輔助膜層的雙親表面上沉積第二膜層；

其中，所述第一膜層的表面極性與所述第二膜層的表面極性不同。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜層間成膜的方法，其特征在于，所述輔助膜層為TiO₂層，在所述第一膜層上沉積具有雙親表面的TiO₂層的步驟具體包括：

在所述第一膜層上沉積TiO₂層，在紫外光下照射所述TiO₂層，使所述TiO₂層的表面變?yōu)殡p親表面，得到具有雙親表面的TiO₂層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的膜層間成膜的方法，其特征在于，所述在紫外光下照射所述TiO₂層的時間為10～60min。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的膜層間成膜的方法，其特征在于，所述TiO₂層的厚度為2～10nm。

5.一種量子點發(fā)光二極管膜層間成膜的方法，其特征在于，包括步驟：

提供第一膜層；

在所述第一膜層上沉積具有雙親表面的輔助膜層；

在所述輔助膜層的雙親表面上沉積第二膜層；

其中，所述第一膜層的表面極性與所述第二膜層的表面極性不同。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的量子點發(fā)光二極管膜層間成膜的方法，其特征在于，所述輔助膜層為TiO₂層，在所述第一膜層上沉積具有雙親表面的TiO₂層的步驟具體包括：

在所述第一膜層上沉積TiO₂層，在紫外光下照射所述TiO₂層，使所述TiO₂層的表面變?yōu)殡p親表面，得到具有雙親表面的TiO₂層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的量子點發(fā)光二極管膜層間成膜的方法，其特征在于，所述在紫外光下照射所述TiO₂層的時間為10～60min。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的量子點發(fā)光二極管膜層間成膜的方法，其特征在于，所述TiO₂層的厚度為2～10nm。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的量子點發(fā)光二極管膜層間成膜的方法，其特征在于，在所述TiO₂層的雙親表面上通過溶液法沉積第二膜層。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的量子點發(fā)光二極管膜層間成膜的方法，其特征在于，所述第一膜層為電極層，所述第二膜層為載流子注入層或載流子傳輸層；

或者，所述第一膜層為載流子注入層，所述第二膜層為載流子傳輸層。