[發(fā)明專利]柔性顯示面板及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011550836.0 | 申請日: | 2020-12-24 |
| 公開(公告)號: | CN112670248B | 公開(公告)日: | 2022-10-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 潘杰 | 申請(專利權(quán))人: | 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/84 | 分類號: | H01L21/84;H01L27/12;H01L27/32;G09F9/30;G09F9/33 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 劉泳麟 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術(shù)*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 柔性 顯示 面板 及其 制備 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種柔性顯示面板及其制備方法,包括如下步驟:提供一剛性基板,在所述剛性基板上形成磁性復(fù)合膜層;在所述磁性復(fù)合膜層上形成柔性襯底;在所述柔性襯底上形成陣列驅(qū)動層;在所述陣列驅(qū)動層上形成發(fā)光器件層;在所述發(fā)光器件層上形成封裝層;以及,對所述磁性復(fù)合膜層施加磁場,使得所述磁性復(fù)合膜層發(fā)生形變,與所述剛性基板剝離。在本發(fā)明提供的這一制備方法中,采用增設(shè)磁性復(fù)合膜層并施加磁場,通過磁場磁力的作用實(shí)現(xiàn)剝離,從而取代現(xiàn)有技術(shù)中通常采用的激光剝離工藝,可解決在剝離制程中,易導(dǎo)致顯示面板器件損傷的問題,并且,該剝離技術(shù)操作簡便,具有較高的剝離良率。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種柔性顯示面板及其制備方法。
背景技術(shù)
隨著有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)技術(shù)的發(fā)展,柔性O(shè)LED顯示裝置由于具有可彎曲、易攜帶等優(yōu)點(diǎn)正被各大面板廠商深入研究,成為目前顯示技術(shù)的主要開發(fā)領(lǐng)域。其中,在柔性O(shè)LED顯示面板的制備中,如何在不破壞顯示元件的前提下,實(shí)現(xiàn)柔性襯底與剛性承載基板的分離是當(dāng)前柔性O(shè)LED顯示面板的制備之中的關(guān)鍵技術(shù)之一。
在目前通用的柔性O(shè)LED顯示面板的制備方法中,通常先在剛性基板上涂布形成柔性襯底,再依次制作陣列驅(qū)動層、有機(jī)發(fā)光層以及封裝層,最后再通過激光剝離工藝,使柔性襯底與剛性基板分離。然而,此種激光剝離技術(shù)存在如下弊端:其一,激光設(shè)備成本較高;其二,激光能量較難精確控制,若能量過高,則易造成陣列驅(qū)動層中薄膜晶體管器件的損傷,進(jìn)而造成顯示畫面不良等缺陷,若能量過低,則柔性襯底又無法完全從剛性基板上剝離,進(jìn)而造成剝離良率低的問題。基于目前激光剝離工藝存在的問題,亟需開發(fā)一種新的剝離技術(shù)以克服前述缺陷。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種柔性顯示面板及其制備方法,通過該制備方法,可大大提升柔性襯底與剛性基板的剝離良率,同時(shí)避免剝離過程中易導(dǎo)致器件損傷的問題。
為解決上述問題,第一方面,本發(fā)明提供一種柔性顯示面板的制備方法,包括如下步驟:
S10:提供一剛性基板,在所述剛性基板上形成磁性復(fù)合膜層;
S20:在所述磁性復(fù)合膜層上形成柔性襯底;
S30:在所述柔性襯底上形成陣列驅(qū)動層;
S40:在所述陣列驅(qū)動層上形成發(fā)光器件層;
S50:在所述發(fā)光器件層上形成封裝層;以及
S60:對所述磁性復(fù)合膜層施加磁場,使得所述磁性復(fù)合膜層發(fā)生形變,與所述剛性基板剝離。
進(jìn)一步地,在所述步驟S10中,所述磁性復(fù)合膜層包括磁性粒子與具有彈性的有機(jī)材料。
進(jìn)一步地,在所述步驟S10中,所述磁性復(fù)合膜層的厚度為6-10微米。
進(jìn)一步地,所述磁性粒子在所述磁性復(fù)合膜層中的重量百分含量為2%-10%。
進(jìn)一步地,所述磁性粒子為三氧化二鐵與四氧化三鐵的混合物,其中,所述三氧化二鐵的重量百分含量為2%-80%,所述四氧化三鐵的重量百分含量為20%-98%。
進(jìn)一步地,所述有機(jī)材料為聚乙烯醇凝膠。
進(jìn)一步地,在所述步驟S10中,所述磁性復(fù)合膜層通過涂布工藝或轉(zhuǎn)印工藝形成。
進(jìn)一步地,在所述步驟S60中,所述磁場的強(qiáng)度為20-100毫特斯拉。
進(jìn)一步地,在所述步驟S60后,還包括步驟:使用溶解劑將所述磁性復(fù)合膜層從所述柔性襯底上溶解去除。
為解決上述問題,第二方面,本發(fā)明還提供了一種柔性顯示面板,由前述的柔性顯示面板的制備方法制備而得。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





