[發明專利]可實現雙片晶圓同槽同步鍍膜的電鍍槽體

在審

• 申請號: 202011546085.5
• 申請日: 2020-12-23
• 公開（公告）號: CN112522769A
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發明（設計）人: 王殿;魏宇祥;王海軍;郝鵬飛
• 申請（專利權）人: 西北電子裝備技術研究所（中國電子科技集團公司第二研究所）
• 主分類號: C25D17/00
• 分類號: C25D17/00;C25D5/08;C25D7/12;C25D21/10
• 代理公司: 山西華炬律師事務所 14106
• 代理人: 陳奇

本發明公開了一種可實現雙片晶圓同槽同步鍍膜的電鍍槽體，解決了如何設置有效的鍍液攪拌機構以提高兩個晶圓鍍膜一致性的問題。在左晶圓掛具（4）正下方的箱形電鍍槽體（1）的槽底面上，設置有左攪拌槳擺板鉸接軸（20）和左攪拌槳擺板（19），在右晶圓掛具（5）正下方的箱形電鍍槽體（1）的槽底面上，設置有右攪拌槳擺板鉸接軸（12）和右攪拌槳擺板（13），在左攪拌槳擺板（19）的頂端面右后端，設置有左連桿（18），在右攪拌槳擺板（13）的頂端面左后端，設置有右連桿（14），在翹翹板擺臂（15）的正后方的箱形電鍍槽體（1）的后側板上設置有軸承（16）和驅動軸（17）。本發明實現了雙片晶圓同槽同步鍍膜的工藝要求。

技術領域

本發明涉及一種晶圓電鍍槽體，特別涉及一種可實現雙片晶圓片在同一個電鍍槽中同步鍍膜的電鍍槽體。

背景技術

晶圓鍍膜工序是半導體濕制程中應用最為廣泛的工序，起著支撐和連接各種封裝器件的作用，現有的晶圓鍍膜主流工序可分為物理鍍膜和電化學沉積鍍膜（ECD）兩種；電化學沉積鍍膜是利用陽離子和陰離子在電場作用下發生不同的氧化-還原反應，在基材材料上沉積出指定的薄膜材料；電化學沉積鍍膜工藝具有工藝溫度低，鍍層結合力好，鍍膜溶液不受鍍膜工件的形狀限制，成膜中溶液組分容易控制，電鍍設備結構簡單和成本低廉等優點，被生產廠家廣泛采用；垂直噴鍍是由傳統的掛鍍工藝演變而來，鍍槽呈箱形結構，在進行晶圓鍍膜時，通常采用單一晶圓放置到鍍槽中進行鍍膜的工作方式，即單一鍍膜工藝，存在鍍膜成本高的問題，垂直噴鍍需要專業的晶圓夾具、陽極屏蔽板和電力線打散機構，電力線打散方式又可分為水平高速攪拌打散和垂直剪切屏打散兩種，在垂直噴鍍中，晶圓表面離子濃度和流速存在難以實現一致的缺陷，需要設置攪拌機構，對電鍍液進行有效攪拌，以提高電鍍晶圓表面的離子濃度的均勻性；遇到要求兩個晶圓鍍膜一致性高的產品時，單一鍍膜已無法較好地滿足生產的要求。

發明內容

本發明提供了一種可實現雙片晶圓同槽同步鍍膜的電鍍槽體，解決了采用電化學沉積垂直鍍膜時如何設置有效的鍍液攪拌機構以提高兩個晶圓鍍膜一致性的技術問題。

本發明是通過以下技術方案解決以上技術問題的：

本發明的總體構思是：在同一電鍍槽中，同時對兩片晶圓進行垂直噴鍍，并在槽中設置同步自動攪拌槳對電鍍液進行攪拌，以實現兩片晶圓表面濃度盡可能均勻。

一種可實現雙片晶圓同槽同步鍍膜的電鍍槽體，包括箱形電鍍槽體，在箱形電鍍槽體的頂端設置有雙口形頂板，在箱形電鍍槽體中，分別設置有左側溢流立板和右側溢流立板，在雙口形頂板的左口中，設置有左晶圓掛具，在雙口形頂板的右口中，設置有右晶圓掛具，在左側溢流立板的右側面上，設置有左陽極板，在右側溢流立板的左側立面上，設置有右陽極板，在左晶圓掛具上設置有第一片晶圓，在右晶圓掛具上設置有第二片晶圓；在左晶圓掛具正下方的箱形電鍍槽體的槽底面上，設置有左攪拌槳擺板鉸接軸，左攪拌槳擺板的下底面中部鉸接在左攪拌槳擺板鉸接軸上，在右晶圓掛具正下方的箱形電鍍槽體的槽底面上，設置有右攪拌槳擺板鉸接軸，右攪拌槳擺板的下底面中部鉸接在右攪拌槳擺板鉸接軸上，在左攪拌槳擺板的頂端面右后端，設置有左連桿，左連桿的上端與翹翹板擺臂的左端鉸接在一起，在右攪拌槳擺板的頂端面左后端，設置有右連桿，右連桿的上端與翹翹板擺臂的右端鉸接在一起，在翹翹板擺臂的正后方的箱形電鍍槽體的后側板上設置有軸承，在軸承中設置有驅動軸，驅動軸的前側端與翹翹板擺臂的中部固定連接在一起，驅動軸的后側端與驅動電機的輸出軸連接在一起。

在左陽極板與左晶圓掛具之間，設置有左屏蔽板，在右陽極板與右晶圓掛具之間，設置有右屏蔽板；在左晶圓掛具上，設置有左陰極接電柱，在右晶圓掛具上，設置有右陰極接電柱。

本發明實現了雙片晶圓同槽同步鍍膜的工藝要求，設備結構簡單，調控方便，鍍層均勻。

附圖說明

圖1是本發明的結構示意圖；

圖2是本發明在橫向斷面上的結構示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖對本發明進行詳細說明：