[發明專利]基板處理方法和基板處理裝置

在審

• 申請號: 202011544996.4
• 申請日: 2018-11-07
• 公開（公告）號: CN112614770A
• 公開（公告）日: 2021-04-06
• 發明（設計）人: 久保田紳治;永關一也;橫田聰裕;玉蟲元
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種基板處理方法，包括以下工序：

從位于基板處理裝置的腔室主體內的電子束發生器向該基板處理裝置的腔室主體內的內部空間供給具有第一能量的電子，以使電子附著于被供給到所述內部空間的處理氣體中的分子來生成負離子；以及

向支承臺的電極施加正極性的偏壓，以將所述負離子向基板吸引，所述支承臺在所述內部空間中支承被載置在該支承臺上的所述基板。

2.根據權利要求1所述的基板處理方法，其特征在于，

所述電子束發生器設置于用于關閉所述腔室主體的上端開口的蓋體。

3.根據權利要求1或2所述的基板處理方法，其特征在于，

在供給電子的所述工序中，使所述電子以不使所述處理氣體中的所述分子解離的方式附著于該分子。

4.根據權利要求1～3中的任一項所述的基板處理方法，其特征在于，

所述電子束發生器具有：

固體發射體；

一對第一電極；

第一電源，其構成為向所述一對第一電極間施加電壓，以使所述一對第一電極間產生電場而從所述固體發射體射出電子；

一對第二電極；

第二電源，其構成為向所述一對第二電極間施加電壓，以使所述固體發射體射出的電子加速，

通過調整由所述第二電源施加于所述一對第二電極間的所述電壓，來生成具有所述第一能量的所述電子。

5.根據權利要求1～4中的任一項所述的基板處理方法，其特征在于，

在施加正極性的偏壓的所述工序中，利用所述負離子對所述基板進行蝕刻。

6.根據權利要求1～5中的任一項所述的基板處理方法，其特征在于，還包括以下工序：

從所述電子束發生器向所述內部空間供給具有第二能量的電子，以使得被供給到所述內部空間的所述處理氣體中的分子解離來生成正離子，所述第二能量比所述第一能量高；以及

向所述支承臺的所述電極施加負極性的偏壓，以將所述正離子向所述基板吸引，所述支承臺在所述內部空間中支承被載置在該支承臺上的所述基板。

7.根據權利要求6所述的基板處理方法，其特征在于，

在施加負極性的偏壓的所述工序中，利用所述正離子對所述基板進行蝕刻。

8.根據權利要求6或7所述的基板處理方法，其特征在于，

多次執行包括供給具有第一能量的電子的所述工序、施加正極性的偏壓的所述工序、供給具有第二能量的電子的所述工序、以及施加負極性的偏壓的所述工序的序列。

9.根據權利要求1～8中的任一項所述的基板處理方法，其特征在于，

在執行供給具有第一能量的電子的所述工序之后，執行施加正極性的偏壓的所述工序。

10.一種基板處理裝置，具備：

腔室主體，在該腔室主體中提供內部空間；

具有電極的支承臺，該支承臺構成為在所述內部空間中支承被載置在該支承臺上的基板；

氣體供給部，其構成為向所述內部空間供給處理氣體；

電子束發生器，其位于所述腔室主體內，且構成為向所述內部空間供給電子；

偏置電源，其與所述支承臺的所述電極電連接，且構成為產生偏壓；以及

控制部，其構成為控制所述電子束發生器和所述偏置電源，

其中，所述控制部控制所述電子束發生器使得向所述內部空間供給具有第一能量的電子，以使電子附著于被供給到所述內部空間的所述處理氣體中的分子來生成負離子，

所述控制部控制所述偏置電源使得向所述支承臺的所述電極施加正極性的偏壓，以將所述負離子向被載置在所述支承臺上的基板吸引。

11.根據權利要求10所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述基板處理裝置包括用于關閉所述腔室主體的上端開口的蓋體，所述電子束發生器設置于所述蓋體。