[發明專利]基板處理方法和基板處理裝置

在審

• 申請號: 202011544996.4
• 申請日: 2018-11-07
• 公開（公告）號: CN112614770A
• 公開（公告）日: 2021-04-06
• 發明（設計）人: 久保田紳治;永關一也;橫田聰裕;玉蟲元
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

本發明提供一種基板處理方法和基板處理裝置，能夠向開口的深部供給離子。基板處理方法包括以下工序：從位于基板處理裝置的腔室主體內的電子束發生器向該基板處理裝置的腔室主體內的內部空間供給具有第一能量的電子，以使電子附著于被供給到所述內部空間的處理氣體中的分子來生成負離子；以及向支承臺的電極施加正極性的偏壓，以將所述負離子向基板吸引，所述支承臺在所述內部空間中支承被載置在該支承臺上的所述基板。

本申請是申請日為2018年11月7日、申請號為201811317768.6、發明名稱為“基板處理方法和基板處理裝置”的中國發明專利申請的分案申請。

技術領域

本公開的實施方式涉及一種基板處理方法和基板處理裝置。

背景技術

在電子器件的制造期間，執行基板處理。在一種基板處理中，利用處理氣體中的分子解離所得到的離子對基板進行處理。作為這樣的基板處理，已知一種等離子體處理。在等離子體處理中，通過激勵處理氣體來生成等離子體。利用來自所生成的等離子體的離子對基板進行處理。例如，利用離子對基板進行蝕刻。

下述的專利文獻1中記載有一種電子束激勵離子等離子體發生裝置。專利文獻1中記載的裝置構成為：使用電子束來生成等離子體，利用來自該等離子體的離子來執行基板的干蝕刻。

專利文獻1：日本特開平7-272659號公報

發明內容

發明要解決的問題

伴隨對電子器件內的元件提出的高集成化等要求，需要對開口的深部進行基板處理。例如，需要能夠對具有高的深寬比的開口的深部進行基板處理，或者在基板形成具有高的深寬比的開口的基板處理。為了對開口的深部進行基板處理，需要向開口的深部供給離子。

用于解決問題的方案

在一個方式中，提供一種基板處理方法。基板處理方法包括以下工序：(i)從電子束發生器向內部空間供給具有第一能量的電子，以使電子附著于被供給到基板處理裝置的腔室主體內的內部空間的處理氣體中的分子來生成負離子；以及(ii)向支承臺的電極施加正極性的偏壓，以將負離子向基板吸引，所述支承臺在內部空間中支承被載置在該支承臺上的基板。

在一個方式所涉及的基板處理方法中，通過使電子附著于處理氣體中的分子來生成負離子。因而，生成重量大的負離子。將該負離子向基板吸引，因此負離子的直行性變高，能夠將負離子供給到開口的深部。

在供給電子的工序的一個實施方式中，使電子以不使處理氣體中的分子解離的方式附著于該分子。即，在一個實施方式的基板處理方法中，通過非解離性電子附著來生成負離子。

在一個實施方式中，電子束發生器具有固體發射體、一對第一電極、第一電源、一對第二電極以及第二電源。第一電源構成為向一對第一電極間施加電壓，以使一對第一電極間產生電場而從固體發射體射出電子。第二電源構成為向一對第二電極間施加電壓，以使固體發射體射出的電子加速。通過調整由第二電源施加于一對第二電極間的電壓，來生成具有第一能量的電子。

在施加正極性的偏壓的工序的一個實施方式中，利用負離子對基板進行蝕刻。

在一個實施方式中，基板處理方法還包括以下工序：(iii)從電子束發生器向內部空間供給具有第二能量的電子，以使得被供給到內部空間的處理氣體中的分子解離來生成正離子，第二能量比第一能量高；以及(iv)向支承臺的電極施加負極性的偏壓，以將正離子向基板吸引，該支承臺在內部空間中支承被載置在該支承臺上的基板。在該實施方式中，在向基板供給負離子之后向基板供給正離子，或者在向基板供給正離子之后向基板供給負離子。根據該實施方式，能夠抑制基板的帶電，提高離子相對于基板的直行性。因而，能夠向開口的深部供給具有高的直行性的離子。因而，在對基板進行蝕刻的情況下，能夠形成具有高的垂直性的開口。