[發明專利]EBCMOS分辨力參數的測量裝置

在審

• 申請號: 202011544510.7
• 申請日: 2020-12-24
• 公開（公告）號: CN112763189A
• 公開（公告）日: 2021-05-07
• 發明（設計）人: 趙衛;李永賢;朱香平;韋永林
• 申請（專利權）人: 松山湖材料實驗室
• 主分類號: G01M11/02
• 分類號: G01M11/02
• 代理公司: 深圳市千納專利代理有限公司 44218
• 代理人: 何耀煌

本發明公開了一種EBCMOS分辨力參數的測量裝置，其包括光學平臺、光源系統、分辨力靶、物鏡、測量暗箱、氣體置換裝置、TEC溫控系統和圖像采集及分析系統。本發明的結構設計巧妙、合理，能實現光源照度可變以及被測器件工作溫度可變，利用TEC溫控臺單獨只對被測器件控溫實現快速變溫提高測試效率，而且設有氣體置換裝置，能快速排出測量暗箱內空氣從而降低水汽含量，有效解決了降溫情況潛在的水汽冷凝、結霜影響測試結果問題，實現對EBCMOS器件分辨力進行準確而且完整性評價測試，精確反映出EBCMOS器件分辨力在全工作溫度范圍內的真實水平，保障器件各種應用場景下可靠工作，有利于指導研發生產工作。

技術領域

本發明涉及EBCMOS分辨力參數的測量技術領域，具體涉及一種EBCMOS分辨力參數的測量裝置。

背景技術

微光成像技術是研究在夜天光或能見度不良條件下，光-電子圖像信息之間相互轉換、增強、處理、顯示等物理過程及其實現方法的一門高新技術，它是近代光電子成像技術的重要組成部分，在軍事、公安、天文、航天、航海、生物、醫學、核物理、衛星監測、高速攝影等領域發揮了巨大旳作用，微光夜視器材所用核心器件就是各代光電成像器件即微光器件。

電子轟擊型器件EBCMOS和ICCD、ICMOS均屬于數字化微光成像器件，相對ICCD、ICMOS，電子轟擊型EBCMOS不需要微通道板MCP、熒光屏和光纖耦合器，光電陰極發射的電子經高壓電場加速轟擊背減薄的芯片直接成像，將成像過程的光電轉換環節最大程度簡化，有利于提高成像質量，且減小了體積和重量。電子轟擊型微光成像器件的顯著優勢已經引起廣泛關注，并開始應用于微光夜視、激光雷達、高能物理和天文觀察等領域。

評價微光器件性能指標主要是積分靈敏度、信噪比和分辨力，其中分辨力指空間分辨力，單位為lp/mm，表示能夠分辨景物或圖像明暗細節的能力。在成像過程中，對比度有所下降，且降低的程度隨著圖像細節的大小而不同。明暗細節的尺寸越小，對比度價降低的越厲害，對比度下降到一定限值時，圖像就不能分辨。根據極限分辨力的定義，當兩條線或兩個點的距離縮短到一定的程度后，不能被獨立分辨，而表現為互相重疊，能夠分辨的最短距離為，稱為極限分辨力。分辨力是微光成像器件表征成像質量最重要參數之一，對分辨力參數的完整測量評價有利于推動微光成像發展。當前關于ICCD分辨力的測量裝置和方法已有相關報道以及專利，如公開號“CN105973570B”，名稱為“微光ICCD分辨力測量裝置及測量方法”；公開號“CN104634449B”，名稱為“微光ICCD信噪比測試系統及測試方法”；但針對EBCMOS的測量裝置未見相關報到，理論上EBCMOS可以借鑒ICCD的測量裝置，但是當前報道的測試裝置、方法均為室溫、常溫條件下進行，測試結果只能反映室溫條件下性能。但實際上對微光成像器件的需求為戶外全天候工作，且存在極端工作溫度場景，對EBCMOS以及ICCD等微光夜視器件而言，在高溫、低溫條件下各組件間裝配應力導致的微小位移可能對分辨力造成較大影響，另外高低溫下光電陰極、CMOS或CCD芯片噪聲差異也會對分辨力產生影響，因此測試微光器件三溫下的分辨力參數具有必要性，傳統測量裝置無法證明器件能否在規格高低溫下滿足成像要求。

發明內容

針對上述不足，本發明目的在于，提供一種結構設計巧妙、合理，能實現光源照度可變以及被測器件工作溫度可變條件下，對EBCMOS器件分辨力進行準確而且完整性評價測試的EBCMOS分辨力參數的測量裝置。

本發明為實現上述目的，所提供的技術方案是：