[發明專利]EBCMOS分辨力參數的測量裝置

在審

• 申請號: 202011544510.7
• 申請日: 2020-12-24
• 公開（公告）號: CN112763189A
• 公開（公告）日: 2021-05-07
• 發明（設計）人: 趙衛;李永賢;朱香平;韋永林
• 申請（專利權）人: 松山湖材料實驗室
• 主分類號: G01M11/02
• 分類號: G01M11/02
• 代理公司: 深圳市千納專利代理有限公司 44218
• 代理人: 何耀煌

1.一種EBCMOS分辨力參數的測量裝置，其包括光學平臺，其特征在于，其還包括光源系統、分辨力靶、物鏡、測量暗箱、氣體置換裝置、TEC溫控系統和圖像采集及分析系統，所述光源系統、分辨力靶、物鏡和測量暗箱依次排列在所述光學平臺上，所述光源系統產生照度范圍1x10^-6lx～1x10²lx且不均勻性≤1％的出射光；所述TEC溫控系統包括TEC溫控臺、溫度傳感器及溫度控制面板，所述TEC溫控臺設置在測量暗箱內，所述溫度傳感器位于TEC溫控臺上EBCMOS器件上，所述溫度控制面板位于所述測量暗箱的外側，并分別與所述TEC溫控臺和溫度傳感器相連接，所述圖像采集及分析系統對EBCMOS器件的輸出的數字信號并轉化為圖像顯示并處理分析標靶圖像得出分辨力評價結果，所述氣體置換裝置與所述測量暗箱相連接。

2.根據權利要求1所述的EBCMOS分辨力參數的測量裝置，其特征在于，所述光源系統包括光源、電控可變衰減器、第一積分球、孔徑光闌轉輪、第二積分球和光電檢流計，光源發出的光經過電控可變衰減器衰減照度后入射到第一積分球，孔徑光闌轉輪對第一積分球的出射光照度進行衰減，衰減后的光入射到第二積分球，第二積分球出射不均勻性≤1％的均勻出射光照射到分辨力靶上，所述光電檢流計對應第二積分球出射的出射光照度進行監控。

3.根據權利要求2所述的EBCMOS分辨力參數的測量裝置，其特征在于，所述光源為色溫為2856K的鹵鎢燈。

4.根據權利要求1所述的EBCMOS分辨力參數的測量裝置，其特征在于，所述分辨力靶為USAF1951分辨力測量靶。

5.根據權利要求1所述的EBCMOS分辨力參數的測量裝置，其特征在于，所述物鏡由兩個相同的透鏡組成共軛透鏡組，所述透鏡的通光孔徑為58mm、焦距為50mm，最大光圈為F1.4。

6.根據權利要求1所述的EBCMOS分辨力參數的測量裝置，其特征在于，所述TEC溫控臺通過三維調節機構設置在測量暗箱的底面。

7.根據權利要求1所述的EBCMOS分辨力參數的測量裝置，其特征在于，所述測量暗箱的前壁帶有輸入窗口，后壁設置有過線孔，上壁設有氣體進口，四周側壁設有出氣口。

8.根據權利要求7所述的EBCMOS分辨力參數的測量裝置，其特征在于，所述氣體置換裝置包括氮氣瓶、進氣閥和出氣閥，該出氣閥設置在所述出氣口上，所述進氣閥設置在所述氣體進口上，且通過管路與所述氮氣瓶相連接。

9.根據權利要求1-8中任意一項所述的EBCMOS分辨力參數的測量裝置，其特征在于，所述TEC溫控臺的底面設有散熱片。