[發(fā)明專利]CMP機臺聯(lián)動方法及系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011543634.3
• 申請日: 2020-12-23
• 公開（公告）號: CN112701038B
• 公開（公告）日: 2023-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 奚達;郭志田;瞿治軍;夏金偉
• 申請（專利權(quán)）人: 華虹半導(dǎo)體（無錫）有限公司
• 主分類號: H01L21/321
• 分類號: H01L21/321;H01L21/67;B24B37/34;B24B37/04
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 羅雅文

本申請公開了一種CMP機臺聯(lián)動方法及系統(tǒng)，涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。該CMP機臺聯(lián)動系統(tǒng)包括至少2個CMP機臺、至少1個緩沖腔室；相鄰的2個CMP機臺通過1個緩沖腔室連接；每個緩沖腔室包括2個屏蔽門，一個屏蔽門對準第i個CMP機臺的機械手，另一個屏蔽門對準第i+1個CMP機臺的機械手；i為大于等于1的整數(shù)；緩沖腔室內(nèi)設(shè)置有晶圓架，晶圓架用于放置晶圓；解決了故障CMP機臺內(nèi)放置的晶圓容易報廢的問題；達到了及時將故障CMP機臺中的晶圓放入合適的環(huán)境，聯(lián)動相鄰CMP機臺對取出的晶圓進行及時處理，避免晶圓報廢的效果。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，具體涉及一種CMP機臺聯(lián)動方法及系統(tǒng)。

背景技術(shù)

CMP(chemical?mechanical?polishing，化學(xué)機械拋光)是目前集成電路制造過程中對晶圓表面進行全局平坦化的工藝。CMP制程被廣泛應(yīng)用在集成電路制造的各個階段，比如，前段制程中的STI-CMP，后段制程中的ILD-CMP、W-CMP、Cu-CMP等。

在Cu-CMP階段，如果CMP機臺出現(xiàn)故障警報，機臺就會停止工作，如果機臺的沖洗腔室無法立刻恢復(fù)運行，由于Cu比較活潑，覆蓋有Cu的晶圓長期暴露，機臺中的晶圓將會報廢。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決相關(guān)技術(shù)中的問題，本申請?zhí)峁┝艘环NCMP機臺聯(lián)動方法及系統(tǒng)。該技術(shù)方案如下：

第一方面，本申請實施例提供了一種CMP機臺聯(lián)動系統(tǒng)，包括至少2個CMP機臺、至少1個緩沖腔室；

相鄰的2個CMP機臺通過1個緩沖腔室連接；

其中，每個緩沖腔室包括2個屏蔽門，一個屏蔽門對準第i個CMP機臺的機械手，另一個屏蔽門對準第i+1個CMP機臺的機械手；i為大于等于1的整數(shù)；

緩沖腔室內(nèi)設(shè)置有晶圓架，晶圓架用于放置晶圓。

可選的，緩沖腔室內(nèi)設(shè)置有噴嘴，噴嘴連接輸液管，輸液管用于輸送晶圓保護液。

可選的，當相鄰的2個CMP機臺的結(jié)構(gòu)呈非鏡像對稱時，緩沖腔室內(nèi)設(shè)置有傳送裝置，傳送裝置用于移動晶圓架；

晶圓架的底部固定在基座上，基座的底部連接在傳送裝置上。

可選的，在每個CMP機臺中，機械手位于沖洗腔室和磨片腔室之間。

第二方面，本申請實施例提供了一種CMP機臺聯(lián)動方法，應(yīng)用于第一方面所示的CMP機臺聯(lián)動系統(tǒng)，該方法包括：

當?shù)趇個CMP機臺發(fā)生腔室故障時，控制緩沖腔室上對準第i個CMP機臺的屏蔽門開啟，通過第i個CMP機臺的機械手將CMP機臺內(nèi)的晶圓取出；

通過第i個CMP機臺的機械手將晶圓放入緩沖腔室內(nèi)的晶圓架上。

可選的，當緩沖腔室內(nèi)放置有晶圓時，控制緩沖腔室內(nèi)的噴嘴向晶圓噴淋晶圓保護液。

可選的，該方法還包括：

當?shù)趇個CMP機臺的腔室故障解除后，控制第i個CMP機臺的機械手從緩沖腔室內(nèi)取出晶圓，并將取出的晶圓送入第i個CMP機臺內(nèi)。

可選的，該方法還包括：

在第i個CMP機臺的腔室故障未解除時，第i+1個CMP機臺的機械手從緩沖腔室內(nèi)取出晶圓，并將取出的晶圓送入第i+1個CMP機臺內(nèi)。

可選的，當相鄰的2個CMP機臺的結(jié)構(gòu)呈非鏡像對稱時，在CMP機臺的機械手從緩沖腔室內(nèi)取出晶圓之前，該方法還包括：

檢測晶圓架是否靠近需拿取晶圓的機械手；