[發明專利]具有延伸柵極結結構的垂直串驅動器在審

申請號：	202011543152.8	申請日：	2020-12-24
公開（公告）號：	CN113451316A	公開（公告）日：	2021-09-28
發明（設計）人：	冀東;黃廣宇;D·蒂梅高達	申請（專利權）人：	英特爾公司
主分類號：	H01L27/115	分類號：	H01L27/115;H01L27/11529;H01L27/11556;H01L27/11573;H01L27/11582
代理公司：	永新專利商標代理有限公司 72002	代理人：	鄔少俊
地址：	美國加***	國省代碼：	暫無信息
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摘要：
搜索關鍵詞：	具有延伸柵極結構垂直驅動器
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【說明書】：

一種用于三維(3D)存儲器器件的驅動器電路，其具有超級結結構作為場管理結構。超級結結構可以稱為延伸結結構，其在用于串驅動器的垂直溝道與柵極導體之間分布結的電場。垂直溝道包括垂直連接在源極導體與漏極導體之間的溝道導體。延伸結結構平行于垂直溝道導體延伸，延伸結結構朝向漏極導體垂直延伸，延伸結結構具有大于柵極導體的高度的高度。

技術領域

說明書總體上涉及三維存儲器結構，并且更特別地，說明書涉及垂直串驅動器。

背景技術

三維(3D)存儲器器件包括堆疊的3D存儲器陣列，其與水平存儲器陣列相比具有增大的位密度。堆疊的存儲器陣列是指具有3D架構的存儲器陣列，3D架構在水平方向以及在垂直層堆疊體中都具有位單元。在堆疊的陣列中每單位集成電路面積的位密度較高，因為可以在垂直溝道周圍而非僅在水平溝道周圍形成單元。堆疊的存儲器陣列具有可以用串驅動器控制的位串。

盡管存儲器陣列是垂直堆疊的，但是用于堆疊硅CMOS(互補金屬氧化物半導體)器件的傳統串驅動器具有掩埋在堆疊的陣列下的水平幾何結構。新興的制造工藝能夠縮小溝道并且減小3D陣列的水平布局。然而，具有水平幾何結構的串驅動器需要管芯上的面積，這約束了增大垂直溝道的密度的能力。因此，在水平幾何結構中增大密度的約束可以限制用于將垂直存儲器器件縮放到更高密度的開發路線圖。

附圖說明

以下描述包括對附圖的討論，附圖具有通過實施方式的示例的方式而給出的圖示。應當以示例而非限制的方式來理解附圖。如本文所用，對一個或多個示例的引用將被理解為描述包括在本發明至少一個實施方式中的特定特征、結構或特性。本文中出現的諸如“在一個示例中”或“在替代示例中”的短語提供了本發明的實施方式的示例，并且未必全部指相同的實施方式。然而，它們也未必相互排斥。

圖1是具有堆疊存儲器的電路的截面的示例的表示，該堆疊存儲器具有階梯區域，該階梯區域具有帶有延伸柵極結結構的垂直串驅動器。

圖2是具有柵極連接結的垂直串驅動器的截面的示例的表示。

圖3是具有源極連接結的垂直串驅動器的截面的示例的表示。

圖4是具有延伸結結構的垂直串驅動器的截止狀態中的電流響應的示例的圖解表示。

圖5A是具有垂直串驅動器的電路的俯視圖的示例的表示。

圖5B是具有柵極連接結結構的垂直串驅動器的俯視圖的示例的表示。

圖5C是具有源極連接結結構的垂直串驅動器的俯視圖的示例的表示。

圖5D是具有圓柱形輪廓的垂直串驅動器的布局的示例的表示。

圖5E是具有六邊形輪廓的垂直串驅動器的布局的示例的表示。

圖5F是具有正方形輪廓的垂直串驅動器的布局的示例的表示。

圖6A-圖6L是具有柵極連接結的垂直串驅動器的處理階段的截面的圖解表示。

圖7A-圖7L是具有源極連接結的垂直串驅動器的處理階段的截面的圖解表示。