[發(fā)明專利]具有延伸柵極結(jié)結(jié)構(gòu)的垂直串驅(qū)動(dòng)器

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011543152.8
• 申請(qǐng)日: 2020-12-24
• 公開（公告）號(hào): CN113451316A
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 冀東;黃廣宇;D·蒂梅高達(dá)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 英特爾公司
• 主分類號(hào): H01L27/115
• 分類號(hào): H01L27/115;H01L27/11529;H01L27/11556;H01L27/11573;H01L27/11582
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 鄔少俊

1.一種驅(qū)動(dòng)器電路，包括：

在源極導(dǎo)體與漏極導(dǎo)體之間的柵極層，所述柵極層通過第一電隔離層與所述源極導(dǎo)體垂直分隔，并且通過第二電隔離層與所述漏極導(dǎo)體垂直分隔，所述柵極層包括柵極導(dǎo)體；

與所述柵極層相交的垂直溝道，所述垂直溝道包括垂直連接在所述源極導(dǎo)體與所述漏極導(dǎo)體之間的溝道導(dǎo)體、以及在所述溝道導(dǎo)體與所述柵極導(dǎo)體之間的氧化物層；以及

結(jié)結(jié)構(gòu)，所述結(jié)結(jié)構(gòu)平行于所述溝道導(dǎo)體延伸，所述結(jié)結(jié)構(gòu)朝向所述漏極導(dǎo)體垂直延伸，所述結(jié)結(jié)構(gòu)具有大于所述柵極層的高度的高度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)器電路，其中，所述溝道導(dǎo)體包括n型(電子多數(shù)載流子)摻雜多晶硅。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)器電路，其中，所述溝道導(dǎo)體包括摻雜金屬氧化物。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的驅(qū)動(dòng)器電路，其中，所述摻雜金屬氧化物包括氧化鋅(ZnO)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)器電路，其中，所述柵極導(dǎo)體包括p型(空穴多數(shù)載流子)摻雜多晶硅。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的驅(qū)動(dòng)器電路，其中，所述結(jié)結(jié)構(gòu)包括p型(空穴多數(shù)載流子)摻雜多晶硅。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的驅(qū)動(dòng)器電路，其中，所述柵極導(dǎo)體具有比所述結(jié)結(jié)構(gòu)高的摻雜密度。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)器電路，其中，所述結(jié)結(jié)構(gòu)包括在所述氧化物層與所述柵極導(dǎo)體之間的垂直結(jié)構(gòu)，其中，所述結(jié)結(jié)構(gòu)電連接到所述柵極導(dǎo)體。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)器電路，其中，所述垂直溝道還包括被所述溝道導(dǎo)體圍繞的電介質(zhì)材料，其中，所述結(jié)結(jié)構(gòu)包括在所述溝道導(dǎo)體與所述電介質(zhì)材料之間的垂直結(jié)構(gòu)，其中，所述結(jié)結(jié)構(gòu)電連接到所述源極導(dǎo)體。

10.一種NAND存儲(chǔ)器器件，包括：

三維(3D)NAND陣列，所述3D NAND陣列包括以階梯圖案垂直堆疊的單元，其中，所述階梯中的臺(tái)階用于暴露至所述3D NAND陣列的字線的連接；以及

驅(qū)動(dòng)器電路，所述驅(qū)動(dòng)器電路用于控制從連接器跡線到至所述3D NAND陣列的字線的暴露連接的電流，所述驅(qū)動(dòng)器電路包括：

在源極導(dǎo)體與漏極導(dǎo)體之間的柵極層，所述柵極層通過第一電隔離層與所述源極導(dǎo)體垂直分隔，并且通過第二電隔離層與所述漏極導(dǎo)體垂直分隔，所述柵極層包括柵極導(dǎo)體，其中，所述漏極導(dǎo)體電連接到所述連接器跡線，并且所述源極導(dǎo)體電連接到導(dǎo)電柱，所述導(dǎo)電柱電連接到至所述字線的所述暴露連接；

與所述柵極層相交的垂直溝道，所述垂直溝道包括垂直連接在所述源極導(dǎo)體與所述漏極導(dǎo)體之間的溝道導(dǎo)體、以及在所述溝道導(dǎo)體與所述柵極導(dǎo)體之間的氧化物層；以及

結(jié)結(jié)構(gòu)，所述結(jié)結(jié)構(gòu)平行于所述溝道導(dǎo)體延伸，所述結(jié)結(jié)構(gòu)朝向所述漏極導(dǎo)體垂直延伸，所述結(jié)結(jié)構(gòu)具有大于所述柵極層的高度的高度。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的NAND存儲(chǔ)器器件，其中，所述溝道導(dǎo)體包括n型(電子多數(shù)載流子)摻雜多晶硅或n型摻雜金屬氧化物。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的NAND存儲(chǔ)器器件，其中，所述柵極導(dǎo)體包括p型(空穴多數(shù)載流子)摻雜多晶硅。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的NAND存儲(chǔ)器器件，其中，所述結(jié)結(jié)構(gòu)包括p型(空穴多數(shù)載流子)摻雜多晶硅。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的NAND存儲(chǔ)器器件，其中，所述柵極導(dǎo)體具有比所述結(jié)結(jié)構(gòu)高的摻雜密度。

15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的NAND存儲(chǔ)器器件，其中，所述結(jié)結(jié)構(gòu)包括在所述氧化物層與所述柵極導(dǎo)體之間的垂直結(jié)構(gòu)，其中，所述結(jié)結(jié)構(gòu)電連接到所述柵極導(dǎo)體。