[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件的制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011543029.6
• 申請(qǐng)日: 2020-12-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112670825A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-04-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊國(guó)文;唐松
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 度亙激光技術(shù)（蘇州）有限公司
• 主分類號(hào): H01S5/20
• 分類號(hào): H01S5/20;H01S5/22
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 張洋

1.一種半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

在襯底層形成第一電流阻擋區(qū)和第二電流阻擋區(qū)，所述襯底層在所述第一電流阻擋區(qū)和所述第二電流阻擋區(qū)之間的部分為通道區(qū)，其中，所述第一電流阻擋區(qū)、所述第二電流阻擋區(qū)與所述通道區(qū)的頂面均位于同一平面；

在形成有所述第一電流阻擋區(qū)、所述通道區(qū)和所述第二電流阻擋區(qū)的所述襯底層上依次形成下包層、波導(dǎo)層及脊形成層；

對(duì)所述脊形成層圖案化形成具有脊條結(jié)構(gòu)的脊條層。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述在形成有所述第一電流阻擋區(qū)、所述通道區(qū)和所述第二電流阻擋區(qū)的所述襯底層上依次形成下包層、波導(dǎo)層及脊形成層，所述方法還包括：

在形成有所述第一電流阻擋區(qū)、所述通道區(qū)和所述第二電流阻擋區(qū)的所述襯底層上形成下包層；

在所述下包層上依次形成下限制層、量子阱和上限制層作為波導(dǎo)層；

在所述上限制層上依次形成上包層和歐姆接觸層作為脊形成層。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述對(duì)所述脊形成層圖案化形成具有脊條結(jié)構(gòu)的脊條層包括：

對(duì)所述上包層和所述歐姆接觸層圖案化形成圖案化上包層和圖案化歐姆接觸層。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述對(duì)所述脊形成層圖案化形成具有脊條結(jié)構(gòu)的脊條層之后，所述方法還包括：

在所述脊條層上形成絕緣層和導(dǎo)電層，其中，所述脊條層的頂面與所述導(dǎo)電層接觸，所述絕緣層位于所述脊條層和所述導(dǎo)電層之間，且所述絕緣層覆蓋所述脊條層的側(cè)壁。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述在襯底層上形成第一電流阻擋區(qū)和第二電流阻擋區(qū)包括：

在所述襯底層上通過(guò)離子注入分別形成第一電流阻擋區(qū)和第二電流阻擋區(qū)。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述在襯底層上形成第一電流阻擋區(qū)和第二電流阻擋區(qū)包括：

對(duì)所述襯底層刻蝕形成相鄰的第一刻蝕槽和第二刻蝕槽，所述第一刻蝕槽和所述第二刻蝕槽之間具有臺(tái)面結(jié)構(gòu)；

在所述襯底層上外延生長(zhǎng)電流阻擋層；

對(duì)所述電流阻擋層進(jìn)行表面平坦化處理以露出所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)，所述電流阻擋層經(jīng)表面平坦化處理后位于所述第一刻蝕槽的部分為所述第一電流阻擋區(qū)，所述電流阻擋層經(jīng)表面平坦化處理后位于所述第二刻蝕槽的部分為所述第二電流阻擋區(qū)，位于所述第一電流阻擋區(qū)和所述第二電流阻擋區(qū)之間的臺(tái)面結(jié)構(gòu)為通道區(qū)。

7.如權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述通道區(qū)在所述襯底層的正投影區(qū)域位于所述脊條結(jié)構(gòu)在所述襯底層的正投影區(qū)域之內(nèi)。

8.如權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述第一電流阻擋區(qū)和所述第二電流阻擋區(qū)間隔位于所述通道區(qū)的兩側(cè)。

9.如權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述第一電流阻擋區(qū)和所述第二電流阻擋區(qū)繞設(shè)于所述通道區(qū)的外周且相互連接。

10.如權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述通道區(qū)為N型區(qū)，所述第一電流阻擋區(qū)和所述第二電流阻擋區(qū)為P型層；或，所述通道區(qū)為P型區(qū)，所述第一電流阻擋區(qū)和所述第二電流阻擋區(qū)為N型層。