[發(fā)明專利]包括硅化鈦材料的集成電路結(jié)構(gòu)

在審

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• 申請日: 2020-12-23
• 公開（公告）號: CN113851531A
• 公開（公告）日: 2021-12-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: D·S·拉夫里克;G·A·格拉斯;T·T·特勒格爾;S·維什瓦納特;J·K·杰哈;J·F·理查茲;A·S·默西;S·慕克吉
• 申請（專利權(quán)）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L29/45
• 分類號: H01L29/45;H01L27/088;H01L29/78;H01L21/8234
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 鄔少俊

1.一種集成電路結(jié)構(gòu)，包括：

在襯底上方的半導(dǎo)體鰭狀物，所述半導(dǎo)體鰭狀物具有頂部和側(cè)壁；

柵極電極，所述柵極電極在所述半導(dǎo)體鰭狀物的一部分的所述頂部之上，并且與所述半導(dǎo)體鰭狀物的所述部分的所述側(cè)壁相鄰，所述柵極電極在所述半導(dǎo)體鰭狀物中限定溝道區(qū)域；

第一外延半導(dǎo)體源極或漏極結(jié)構(gòu)，所述第一外延半導(dǎo)體源極或漏極結(jié)構(gòu)在所述柵極電極的第一側(cè)處的所述溝道區(qū)域的第一端部處，所述第一外延半導(dǎo)體源極或漏極結(jié)構(gòu)具有非平坦形貌；

第二外延半導(dǎo)體源極或漏極結(jié)構(gòu)，所述第二外延半導(dǎo)體源極或漏極結(jié)構(gòu)在所述柵極電極的第二側(cè)處的所述溝道區(qū)域的第二端部處，所述第二端部與所述第一端部相對，所述第二側(cè)與所述第一側(cè)相對，并且所述第二外延半導(dǎo)體源極或漏極結(jié)構(gòu)具有非平坦形貌；以及

硅化鈦材料，所述硅化鈦材料與所述第一外延半導(dǎo)體源極或漏極結(jié)構(gòu)和所述第二外延半導(dǎo)體源極或漏極結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)直接接觸，所述硅化鈦材料與所述第一外延半導(dǎo)體源極或漏極結(jié)構(gòu)和所述第二外延半導(dǎo)體源極或漏極結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)的所述非平坦形貌共形，并且氣密密封所述第一外延半導(dǎo)體源極或漏極結(jié)構(gòu)和所述第二外延半導(dǎo)體源極或漏極結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)的所述非平坦形貌，并且所述硅化鈦材料具有包括95％或更大化學(xué)計(jì)量的TiSi₂的總原子組成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，所述硅化鈦材料具有包括98％或更大化學(xué)計(jì)量的TiSi₂的總原子組成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，所述硅化鈦材料的總原子組成還包括非零量但小于1％的磷、硼或鍺。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，所述硅化鈦材料具有C49晶相或C54晶相。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，所述硅化鈦材料沿著所述第一外延半導(dǎo)體源極或漏極結(jié)構(gòu)和所述第二外延半導(dǎo)體源極或漏極結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)的所述非平坦形貌具有10％或更小的厚度變化。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，所述第一外延半導(dǎo)體源極或漏極結(jié)構(gòu)和所述第二外延半導(dǎo)體源極或漏極結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)的所述非平坦形貌包括凸起的中央部分和較低的側(cè)面部分。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，所述第一外延半導(dǎo)體源極或漏極結(jié)構(gòu)和所述第二外延半導(dǎo)體源極或漏極結(jié)構(gòu)都包括硅。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，所述第一外延半導(dǎo)體源極或漏極結(jié)構(gòu)和所述第二外延半導(dǎo)體源極或漏極結(jié)構(gòu)都還包括鍺。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的集成電路結(jié)構(gòu)，還包括：

在所述硅化鈦材料上的導(dǎo)電填充材料。