[發明專利]一種晶圓加工機的二次整平設備在審
| 申請號: | 202011542823.9 | 申請日: | 2020-12-24 |
| 公開(公告)號: | CN112509952A | 公開(公告)日: | 2021-03-16 |
| 發明(設計)人: | 林斌發 | 申請(專利權)人: | 林斌發 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 230000 安徽省*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 加工 二次 設備 | ||
本發明公開了一種晶圓加工機的二次整平設備,其結構包括氣缸、支撐頂板、加工臺、整平裝置、放置架,氣缸固定安裝在支撐頂板頂部中端,支撐頂板底面與加工臺頂部相焊接,將壓磨裝置下端移動到與晶圓片上端面進行抵觸,抵觸裝置在導向框內部進行上升,這時找平板與晶圓片上端面進行抵觸,接著啟動電機,找平板對晶圓上端面進行整平,伸縮軟管進行收縮,這時將整平過程中產生的顆粒殘留物從吸附嘴內部吸入進入到找平板內部,避免顆粒殘留物停留在晶圓片上端面上,通過刮板下端的倒圓角與晶圓片外側端進行抵觸,從而使得刮板外移,刮板與晶圓片外側端面進行抵觸貼合,通過轉動盤進行轉動,從而使得刮板對晶圓片外側端面的顆粒殘留物進行清除。
技術領域
本發明涉及晶圓加工領域,更具體地說,尤其是涉及到一種晶圓加工機的二次整平設備。
背景技術
在晶圓的加工中,切割下來的晶圓斷面的平整度取決于原本晶圓的平整度,切割后的晶圓斷面存在一定的不平整,還需要使用到二次整平設備對切割后的晶圓斷面進行整平,提高晶圓表面的平整度,但是二次整平設備是通過轉動與晶圓的斷面進行接觸,從而進行整平,而在切割的過程中,晶圓斷面的外側周圍也容易產生部分的晶圓顆粒殘留物,晶圓斷面整平時擠壓出的顆粒殘留物由于與二次整平設備上轉動的整平器發生接觸,從而產生的一定的溫度,這時顆粒殘留物發生熔解,使得停留在斷面的外側周圍的顆粒殘容易與晶圓外側周圍發生粘附,破壞了晶圓斷面的外側周圍的平整度。
發明內容
本發明實現技術目的所采用的技術方案是:該一種晶圓加工機的二次整平設備,其結構包括氣缸、支撐頂板、加工臺、整平裝置、放置架,所述氣缸固定安裝在支撐頂板頂部中端,所述支撐頂板底面與加工臺頂部相焊接,所述氣缸輸出端與整平裝置頂部中端相焊接,所述放置架焊接于加工臺內側上表面,并且放置架位于整平裝置正下方,所述整平裝置包括連接架、電機、壓磨裝置,所述連接架上端與氣缸輸出端相焊接,并且連接架固定安裝在電機頂部,所述電機輸出端與壓磨裝置上端中部相焊接,所述壓磨裝置位于放置架正上方。
作為本發明的進一步改進,所述壓磨裝置包括導向框、壓簧、導向裝置、抵觸裝置,所述導向框上端中部與電機輸出端相焊接并且同步轉動,所述壓簧設在導向框內部中端,所述壓簧下端與抵觸裝置上端相焊接,并且抵觸裝置上端采用間隙配合安裝在導向框下端內部,所述導向裝置設在導向框內部與抵觸裝置上端連接處,所述導向裝置共設有兩個,分別設在抵觸裝置上端左右兩側。
作為本發明的進一步改進,所述導向裝置包括支桿、滑動桿、導向框架,所述支桿下端與抵觸裝置上端相焊接,并且支桿頂部設有滑動桿,所述滑動桿采用間隙配合安裝在導向框架內側下端,并且導向框架上端與導向框內側頂部相焊接,所述支桿與抵觸裝置上端呈垂直角度,所述導向框架共設有兩個,分別設在滑動桿前后兩端。
作為本發明的進一步改進,所述抵觸裝置包括連接塊、轉動盤、伸縮軟管、找平板、吸附嘴,所述連接塊上端與支桿下端相焊接,并且連接塊下端與轉動盤頂部相固定,所述轉動盤與找平板連接間隙處設有伸縮軟管,并且找平板下端內部貫穿有吸附嘴,所述伸縮軟管與吸附嘴相貫通,所述伸縮軟管呈褶皺型結構,并且采用橡膠材質,具有一定的回彈性,所述吸附嘴呈進口寬出口窄的結構。
作為本發明的進一步改進,所述轉動盤包括盤體、彈簧、側邊刮除器,所述盤體內部下端與找平板相連接,所述盤體內部設有彈簧,所述側邊刮除器采用間隙配合安裝在盤體下端內部,并且側邊刮除器上端與彈簧內側端相焊接側,所述彈簧和側邊刮除器均設有四個,分別設在盤體下端內部的四個方位上。
作為本發明的進一步改進,所述側邊刮除器包括刮板、橡膠條,所述刮板上端采用間隙配合安裝在盤體下端內部,所述刮板內側表面緊密貼合有橡膠條,所述刮板下端設有倒圓角,所述橡膠條呈半圓柱結構,并且設有九個,等距分布在刮板內側表面。
本發明的有益效果在于:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





