[發明專利]半導體器件及其制備方法

在審

• 申請號: 202011541975.7
• 申請日: 2020-12-23
• 公開（公告）號: CN114664660A
• 公開（公告）日: 2022-06-24
• 發明（設計）人: 金宏峰;曹瑞彬;林峰;秦祥;黃宇;李春旭
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/265;H01L21/027;H01L21/266;H01L29/78
• 代理公司: 華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 姚姝婭

1.一種半導體器件的制備方法，其特征在于，包括：

提供第一導電類型的襯底；

在所述襯底上形成第二導電類型的摻雜區，所述摻雜區包括相鄰的第一漂移區和第二漂移區，所述第二導電類型和所述第一導電類型相反；

在所述襯底上形成多晶硅薄膜，所述多晶硅薄膜覆蓋在所述摻雜區上；

在所述多晶硅薄膜上形成光刻膠圖形，所述光刻膠圖形中的光刻膠覆蓋在所述第一漂移區和第二漂移區上，且露出位于第一漂移區和第二漂移區之間的體區預設區上的多晶硅薄膜；

進行高能離子注入，在所述體區預設區形成第一導電類型的體區，所述體區的上表面與所述摻雜區的上表面齊平，且所述體區的下表面不高于所述摻雜區的下表面。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述在所述襯底上形成第二導電類型的摻雜區的步驟包括：

進行第二導電類型離子注入，在所述襯底上形成摻雜區；

其中，所述摻雜區包括第一漂移區、第二漂移區、以及位于第一漂移區和第二漂移區之間的體區預設區。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述多晶硅薄膜上形成光刻膠圖形的步驟包括：

在所述多晶硅薄膜上形成I線光刻膠圖形，所述光刻膠圖形的厚度大于或等于1.6微米且小于或等于2.5微米。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述進行高能離子注入的步驟包括：

進行注入能量大于或等于500千電子伏且小于或等于800千電子伏的高能離子注入。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述在所述多晶硅薄膜上形成光刻膠圖形的步驟包括：

根據第一漂移區和第二漂移區的長度調整掩膜設計圖形的尺寸偏差后，得到新的掩膜設計圖形，其中，所述長度的方向為第一漂移區和第二漂移區的連線方向；

根據所述新的掩膜設計圖形制作掩膜版；

使用所述掩膜版在所述多晶硅薄膜上形成新的光刻膠圖形；

其中，進行高能離子注入步驟后，所述新的光刻膠圖形中位于第一漂移區和第二漂移區上的光刻膠的傾角相同，所述傾角是指光刻膠的側壁與底部之間的夾角。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述根據第一漂移區和第二漂移區的長度調整掩膜設計圖形的尺寸偏差后，得到新的掩膜設計圖形的步驟是通過光學鄰近效應矯正的方式實現的。

7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述進行高能離子注入之后還包括：

進行刻蝕工藝，去除所述體區預設區上的多晶硅薄膜，得到由剩余多晶硅薄膜構成的多晶硅層。

8.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，體區的上表面的長度大于體區的下表面的長度。

9.一種半導體器件，其特征在于，所述半導體器件是通過權利要求1-8任一項所述的制備方法制成的。

10.根據權利要求9所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件包括橫向擴散金屬氧化物半導體器件。