[發明專利]植入式柔性電子器件及其制備方法

有效

• 申請號: 202011541757.3
• 申請日: 2020-12-23
• 公開（公告）號: CN112752419B
• 公開（公告）日: 2023-03-10
• 發明（設計）人: 馮雪;鄭司雨;陳穎
• 申請（專利權）人: 浙江清華柔性電子技術研究院;清華大學
• 主分類號: H05K3/28
• 分類號: H05K3/28;H05K1/02;A61B5/026;A61N1/36;A61N5/06;C08F289/00;C08F222/38;C08G63/52;C08G75/045
• 代理公司: 杭州華進聯浙知識產權代理有限公司 33250
• 代理人: 儲照良

1.一種植入式柔性電子器件的制備方法，其特征在于，包括：

提供一本體，所述本體包括柔性基體以及設置于所述柔性基體上的電路組件；

于所述本體上制作包裹所述本體的疏水殼層；以及

將帶有所述疏水殼層的所述本體浸漬于光敏劑溶液中1min-20min，取出后置于第二親水性前驅體溶液中，并采用光照1min-10min使所述第二親水性前驅體溶液于所述疏水殼層的表面固化得到親水殼層，得到植入式柔性電子器件；

其中，所述光敏劑溶液中所述光敏劑的質量百分含量為5%-20%；

所述第二親水性前驅體溶液包括交聯劑、親水性預聚體和水，其中，所述親水性預聚體的質量百分含量為5%-50%，所述交聯劑的質量為所述親水性預聚體的質量的0.1%-2%，所述親水性預聚體包括聚乙二醇二丙烯酸酯、甲基丙烯酸酐化明膠中的至少一種；或者，所述第二親水性前驅體溶液包括交聯劑、親水性單體和水，其中，所述親水性單體的質量百分含量為5%-50%，所述交聯劑的質量為所述親水性單體的質量的0.1%-2%，所述親水性單體包括N-丙烯酰甘氨酸酰胺、甲基丙烯酸羥乙酯中的至少一種。

2.根據權利要求1所述的植入式柔性電子器件的制備方法，其特征在于，于所述本體上制作包裹所述本體的疏水殼層的步驟包括：

于所述本體的表面涂覆第一疏水性前驅體溶液，并采用光照使所述第一疏水性前驅體溶液固化成所述疏水殼層。

3.根據權利要求1所述的植入式柔性電子器件的制備方法，其特征在于，所述電路組件嵌入在所述柔性基體內部，于所述本體上制作包裹所述本體的疏水殼層的步驟包括：

將所述本體浸漬于光敏劑溶液中，取出后置于第二疏水性前驅體溶液中，并采用光照使所述第二疏水性前驅體溶液于所述本體的表面固化得到所述疏水殼層。

4.根據權利要求1所述的植入式柔性電子器件的制備方法，其特征在于，所述電路組件裸露在所述柔性基體表面，于所述本體上制作包裹所述本體的疏水殼層之前，還包括：

于所述柔性基體帶有所述電路組件的表面涂覆第一疏水性前驅體溶液，并采用光照使所述第一疏水性前驅體溶液固化成覆蓋所述電路組件的疏水層；

于所述本體上制作包裹所述本體的疏水殼層的步驟包括：

將帶有所述疏水層的所述本體浸漬于光敏劑溶液中，取出后置于第二疏水性前驅體溶液中，并采用光照使所述第二疏水性前驅體溶液于所述本體和所述疏水層的表面固化得到所述疏水殼層。

5.根據權利要求2或4所述的植入式柔性電子器件的制備方法，其特征在于，所述第一疏水性前驅體溶液包括光引發劑和疏水性分子，或者，所述第一疏水性前驅體溶液包括光引發劑和疏水性預聚體。

6.根據權利要求3或4所述的植入式柔性電子器件的制備方法，其特征在于，所述第二疏水性前驅體溶液包括疏水性分子或疏水性預聚體。

7.根據權利要求1所述的植入式柔性電子器件的制備方法，其特征在于，在制備所述親水殼層之前，還包括重復制作所述疏水殼層，以得到2層以上的所述疏水殼層。

8.根據權利要求1所述的植入式柔性電子器件的制備方法，其特征在于，所述電路組件裸露在所述柔性基體表面，所述植入式柔性電子器件還包括有疏水層，所述疏水層設置于所述柔性基體上方并覆蓋所述電路組件。

9.根據權利要求8所述的植入式柔性電子器件的制備方法，其特征在于，所述疏水層的厚度為5微米-500微米；

及/或，所述疏水殼層的厚度為5微米-500微米；

及/或，所述親水殼層的厚度為5微米-500微米。

10.根據權利要求1所述的植入式柔性電子器件的制備方法，其特征在于，所述疏水殼層的數量大于等于2層。