[發明專利]耐等離子體腐蝕半導體零部件及其制備方法和等離子體反應裝置

在審

• 申請號: 202011541484.2
• 申請日: 2020-12-23
• 公開（公告）號: CN114664623A
• 公開（公告）日: 2022-06-24
• 發明（設計）人: 段蛟
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）股份有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 上海元好知識產權代理有限公司 31323
• 代理人: 賈慧琴;包姝晴

1.一種半導體零部件的制備方法，其特征在于，該方法包含：

提供一半導體零部件本體；

提供一靶材，用于提供具有晶面隨機分布的分子流；

提供至少一晶體過濾器，設置在所述的半導體零部件本體與所述靶材之間，用于選擇過濾所述的分子流，以在所述的半導體零部件本體表面形成耐等離子腐蝕涂層，該涂層具有對應不同強度的多個晶面結構，所述的不同強度按從高到低排序包含：最高強度、第二高強度、第三高強度及第四高強度，所述的最高強度與第四高強度的比例范圍是1：1-10：1。

2.如權利要求1所述的用于半導體零部件的制備方法，所述的最高強度與第三高強度的比例范圍是1：1-10：1。

3.如權利要求1所述的用于半導體零部件的制備方法，所述的最高強度與第二高強度的比例范圍是1：1-10：1。

4.如權利要求1所述的半導體零部件的制備方法，其特征在于，所述的晶體過濾器的晶面間距與小于第三高強度的各個強度對應的各晶面間距相當，以優先沉積與小于第三高強度的各個強度對應的各晶面，而使得半導體零部件本體表面沉積與大于等于第三高強度的各個強度對應的各個晶面。

5.如權利要求2所述的半導體零部件的制備方法，其特征在于，所述的晶體過濾器的晶面間距與小于第二高強度的各個強度對應的各晶面間距相當，以優先沉積與小于第二高強度的各個強度對應的各晶面，而使得半導體零部件本體表面沉積與大于等于第二高強度的各個強度對應的各個晶面。

6.如權利要求3所述的半導體零部件的制備方法，其特征在于，所述的晶體過濾器的晶面間距與小于第一高強度的各個強度對應的各晶面間距相當，以優先沉積與小于第一高強度的各個強度對應的各晶面，而使得半導體零部件本體表面沉積與第一高強度的各個強度對應的各個晶面。

7.如權利要求1所述的半導體零部件的制備方法，其特征在于，所述的晶面過濾器與所述的半導體零部件本體平行設置，所述的晶面過濾器還設置有通孔，使得分子流通過，以在半導體零部件本體表面沉積與大于等于第三高強度的各個強度對應的各個晶面。

8.如權利要求7所述的半導體零部件的制備方法，其特征在于，所述的通孔的孔隙率不小于50％。

9.如權利要求7所述的半導體零部件的制備方法，其特征在于，所述的通孔的孔隙率根據所述通孔與所述靶材的距離調整，該距離越大孔隙率越小。

10.如權利要求7所述的半導體零部件的制備方法，其特征在于，在所述的半導體零部件本體與所述靶材之間的側部還設置有至少一晶面過濾器，用于優先沉積與小于第三高強度的各個強度對應的各晶面。

11.如權利要求10所述的半導體零部件的制備方法，其特征在于，設置在所述的半導體零部件本體與所述靶材之間的側部的晶面過濾器與所述的半導體零部件本體間隔一段距離，二者之間的夾角呈0～30°，或30～45°，或45～60°，或60～90°，或90°～120°，或120°～135°或135～165°。

12.如權利要求1所述的半導體零部件的制備方法，其特征在于，該方法還包含：提供一輔助增強源，該輔助增強源包括等離子體源、離子束源、微波源、射頻源中的至少一種。