[發(fā)明專利]顯示面板

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011541098.3
• 申請日: 2020-12-23
• 公開（公告）號: CN112736117A
• 公開（公告）日: 2021-04-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 崔巍
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 杜蕾

本申請公開了一種顯示面板。該顯示面板包括襯底、位于該襯底上的驅(qū)動電路層，該驅(qū)動電路層包括多個薄膜晶體管以及與該薄膜晶體管同層設(shè)置的多個感光構(gòu)件，相鄰兩個該感光構(gòu)件之間設(shè)置有至少一該薄膜晶體管；其中，任一該感光構(gòu)件包括至少一陣列單元，該陣列單元用于接收預(yù)定光線以及導(dǎo)出該預(yù)定光線的光電信息。本申請利用第一陣列單元作為感光陣列單元，將預(yù)定光線轉(zhuǎn)換為光電信號，利用第二陣列單元放大該光電信號，通過檢測光電信號產(chǎn)生的電流電容變化，從而確認預(yù)定光線在顯示面板上的光斑位置，實現(xiàn)了遠程光與顯示面板高效的交互功能。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及顯示領(lǐng)域，具體涉及一種顯示面板。

背景技術(shù)

隨著生活水平的提高，具有交互功能的顯示設(shè)備越來越受到關(guān)注。

現(xiàn)有技術(shù)中，氧化物半導(dǎo)體層相比于傳統(tǒng)的半導(dǎo)體層具有更高的電子遷移率和穩(wěn)定性。由于氧化物半導(dǎo)體層具有較高的帶寬，所以只對波長較短的紫外光具有吸收效應(yīng)，而對于可見光或紅外光沒有吸收，這就導(dǎo)致氧化物半導(dǎo)體層不適合做可見光或紅外光的光傳感器。從而限制了使用氧化物半導(dǎo)體層的顯示面板在可見光或者近紅外光方面的應(yīng)用。

因此，亟需一種顯示面板以解決上述技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容

本申請?zhí)峁┝艘环N顯示面板，以解決現(xiàn)有技術(shù)中，氧化物半導(dǎo)體層無法吸收可見光或紅外光，從而限制了使用氧化物半導(dǎo)體層的顯示面板在可見光或者近紅外光方面的應(yīng)用的技術(shù)問題。

為解決上述問題，本申請?zhí)峁┑募夹g(shù)方案如下：

一種顯示面板，包括襯底、位于所述襯底上的驅(qū)動電路層，所述驅(qū)動電路層包括多個薄膜晶體管以及與所述薄膜晶體管同層設(shè)置的多個感光構(gòu)件，相鄰兩個所述感光構(gòu)件之間設(shè)置有至少一所述薄膜晶體管；

其中，任一所述感光構(gòu)件包括至少一陣列單元，所述陣列單元用于接收預(yù)定光線以及導(dǎo)出所述預(yù)定光線的光電信息。

在本申請的顯示面板中，任一所述感光構(gòu)件包括至少一第一陣列單元及至少一第二陣列單元，一所述第一陣列單元與一所述第二陣列單元電連接；

其中，所述第一陣列單元用于將接收的所述預(yù)定光線轉(zhuǎn)換為第一電信號，所述第二陣列單元用于將所述第一陣列單元的所述第一電信號轉(zhuǎn)換為第二電信號，所述第二電信號中的電流數(shù)值大于所述第一電信號中的電流數(shù)值。

在本申請的顯示面板中，所述第一陣列單元包括位于所述襯底上的第一柵極、位于所述第一柵極上的第一絕緣層、位于所述第一絕緣層上的第一半導(dǎo)體單元、位于所述第一半導(dǎo)體單元上的第二絕緣層、及位于所述第二絕緣層上的第一源漏極單元；

所述第二陣列單元包括位于所述襯底上的第二柵極、位于所述第二柵極上的所述第一絕緣層、位于所述第一絕緣層上的第二半導(dǎo)體單元、位于所述第二半導(dǎo)體單元上的所述第二絕緣層、及位于所述第二絕緣層上的第二源漏極單元；

其中，所述第二絕緣層包括多個第一過孔，所述第一源漏極單元通過所述第一過孔與所述第二柵極電連接。

在本申請的顯示面板中，所述第一源漏極單元包括位于所述第二絕緣層上的第一源極、及第一漏極，所述第二絕緣層包括多個第二過孔、及多個第三過孔，所述第一源極通過所述第二過孔與所述第一半導(dǎo)體單元電連接，所述第一漏極通過所述第三過孔與所述第一半導(dǎo)體單元電連接；

所述第二源漏極單元包括位于所述第二絕緣層上的第二源極、及第二漏極，所述第二絕緣層包括多個第四過孔、及多個第五過孔，所述第二源極通過所述第四過孔與所述第二半導(dǎo)體單元電連接，所述第二漏極通過所述第五過孔與所述第二半導(dǎo)體單元電連接；

其中，所述第一半導(dǎo)體單元為N型半導(dǎo)體單元或P型半導(dǎo)體單元。