[發明專利]顯示面板在審
| 申請號: | 202011541098.3 | 申請日: | 2020-12-23 |
| 公開(公告)號: | CN112736117A | 公開(公告)日: | 2021-04-30 |
| 發明(設計)人: | 崔巍 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 杜蕾 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括襯底、位于所述襯底上的驅動電路層,所述驅動電路層包括多個薄膜晶體管以及與所述薄膜晶體管同層設置的多個感光構件,相鄰兩個所述感光構件之間設置有至少一所述薄膜晶體管;
其中,任一所述感光構件包括至少一陣列單元,所述陣列單元用于接收預定光線以及導出所述預定光線的光電信息。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,任一所述感光構件包括至少一第一陣列單元及至少一第二陣列單元,一所述第一陣列單元與一所述第二陣列單元電連接;
其中,所述第一陣列單元用于將接收的所述預定光線轉換為第一電信號,所述第二陣列單元用于將所述第一陣列單元的所述第一電信號轉換為第二電信號,所述第二電信號中的電流數值大于所述第一電信號中的電流數值。
3.根據權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述第一陣列單元包括位于所述襯底上的第一柵極、位于所述第一柵極上的第一絕緣層、位于所述第一絕緣層上的第一半導體單元、位于所述第一半導體單元上的第二絕緣層、及位于所述第二絕緣層上的第一源漏極單元;
所述第二陣列單元包括位于所述襯底上的第二柵極、位于所述第二柵極上的所述第一絕緣層、位于所述第一絕緣層上的第二半導體單元、位于所述第二半導體單元上的所述第二絕緣層、及位于所述第二絕緣層上的第二源漏極單元;
其中,所述第二絕緣層包括多個第一過孔,所述第一源漏極單元通過所述第一過孔與所述第二柵極電連接。
4.根據權利要求3所述的顯示面板,其特征在于,所述第一源漏極單元包括位于所述第二絕緣層上的第一源極、及第一漏極,所述第二絕緣層包括多個第二過孔、及多個第三過孔,所述第一源極通過所述第二過孔與所述第一半導體單元電連接,所述第一漏極通過所述第三過孔與所述第一半導體單元電連接;
所述第二源漏極單元包括位于所述第二絕緣層上的第二源極、及第二漏極,所述第二絕緣層包括多個第四過孔、及多個第五過孔,所述第二源極通過所述第四過孔與所述第二半導體單元電連接,所述第二漏極通過所述第五過孔與所述第二半導體單元電連接;
其中,所述第一半導體單元為N型半導體單元或P型半導體單元。
5.根據權利要求4所述的顯示面板,其特征在于,所述第一半導體單元為N型半導體單元,所述顯示面板還包括位于所述第一源漏極單元及所述第二源漏極單元上的第三絕緣層、及位于所述第三絕緣層上的多個第一連接單元,所述第三絕緣層包括多個第六過孔及多個第七過孔,所述第一連接單元通過所述第六過孔與所述第一漏極電連接,所述第一連接單元通過所述第七過孔與所述第二漏極電連接。
6.根據權利要求4所述的顯示面板,其特征在于,所述第一半導體單元為P型半導體單元,所述顯示面板還包括位于所述第一源漏極單元及所述第二源漏極單元上的第三絕緣層、及位于所述第三絕緣層上的多個第一連接單元,所述第三絕緣層包括多個第六過孔、多個第七過孔及多個第八過孔,所述第一連接單元通過所述第六過孔與所述第一漏極電連接,所述第一連接單元通過所述第七過孔與所述第二漏極電連接,所述第一連接單元通過所述第八過孔與所述第一柵極電連接。
7.根據權利要求3所述的顯示面板,其特征在于,所述第一半導體單元的材料為a-Si、有機小分子半導體、有機聚合物半導體中的任意一種。
8.根據權利要求3所述的顯示面板,其特征在于,所述第一半導體單元的厚度為5000埃米~10000埃米,所述第一半導體單元在所述襯底上的正投影的面積為100um2~10000um2。
9.根據權利要求3所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板還包括位于所述第一陣列單元及所述第二陣列單元上的第四絕緣層、及位于所述第四絕緣層上的多個濾波單元,所述第一半導體單元在所述襯底上的正投影位于所述濾波單元在所述襯底上的正投影之內。
10.根據權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板還包括多個檢測單元,一所述檢測單元與一所述第二陣列單元電連接;
其中,所述檢測單元用于檢測所述第二陣列單元中的電流變化,以確定所述預定光線與所述顯示面板的接觸位置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





