[發明專利]一種重讀管理方法、固態硬盤控制器及固態硬盤

在審

• 申請號: 202011539962.6
• 申請日: 2020-12-23
• 公開（公告）號: CN112562766A
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發明（設計）人: 方浩俊;黃運新
• 申請（專利權）人: 深圳大普微電子科技有限公司
• 主分類號: G11C16/34
• 分類號: G11C16/34;G06F11/07
• 代理公司: 深圳市六加知識產權代理有限公司 44372
• 代理人: 孟麗平

本發明實施例涉及固態硬盤應用領域，公開了一種重讀管理方法、固態硬盤控制器及固態硬盤，所述方法包括：根據第一單元數量以及第二單元數量，確定每一閾值電壓的偏移方向；根據第一記錄值和第二記錄值，確定每一閾值電壓的偏移程度；根據所述閾值電壓的偏移方向以及偏移程度，確定調整后的閾值電壓，并基于調整后的閾值電壓，進行重讀操作。通過記錄在寫入階段和讀取階段時的每一電壓分布狀態，調整閾值電壓的偏移方向以及偏移程度，確定調整后的閾值電壓，本發明實施例能夠提高固態硬盤的重讀效率，從而提升整體讀性能。

技術領域

本發明涉及固態硬盤應用領域，特別是涉及一種重讀管理方法、固態硬盤控制器及固態硬盤。

背景技術

固態硬盤(Solid State Drives，SSD)，是采用固態電子存儲芯片陣列而制成的硬盤，固態硬盤包括控制單元和存儲單元(FLASH存儲芯片或DRAM存儲芯片)。目前固態硬盤系統中有相當部分是存在動態隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)的，所以SSD有較大的數據緩存空間用來緩存數據。

閃存(NAND Flash)是固態硬盤的主要存儲介質。閃存目前已發展到3D TLC，其IO接口速度發展到1600MT；其發展也帶來一些問題，如原始錯誤比特率(UBER)越來越高，為了減少原始錯誤比特率，需要通過調整閾值電壓后進行重讀(Read Retry)。但是由于從閃存(NAND Flash)外部難以觀察其電壓分布偏移方向，故而調整閾值電壓的重讀操作往往需要較多次數。重讀次數會影響了固態硬盤的讀性能，特別是讀性能的QoS(Quality ofService)中性能一致性(Consistency)表現。

現有的固態硬盤的主控或者固件，往往通過重讀等級依次遞增進行。而對對應單個重讀過程中的閾值電壓設置，往往是按照廠商給出列表進行一個個遍歷嘗試，導致重讀成功率不足，重讀次數過多。

基于此，現有技術亟待改進。

發明內容

本發明實施例旨在提供一種重讀管理方法、固態硬盤控制器及固態硬盤，其解決了現有固態硬盤重讀成功率不足的技術問題，提高固態硬盤的重讀效率，從而提升整體讀性能。

為解決上述技術問題，本發明實施例提供以下技術方案：

第一方面，本發明實施例提供一種重讀管理方法，所述方法包括：

獲取在寫入階段時處于每一電壓分布狀態的第一單元數量，并確定每一電壓分布狀態對應的第一記錄值；

獲取前一次重讀在讀取階段時處于每一電壓分布狀態的第二單元數量，并確定每一電壓分布狀態對應的第二記錄值；

根據所述第一單元數量以及第二單元數量，確定每一閾值電壓的偏移方向；

根據所述第一記錄值和第二記錄值，確定每一閾值電壓的偏移程度；

根據所述閾值電壓的偏移方向以及偏移程度，確定調整后的閾值電壓，并基于調整后的閾值電壓，進行重讀操作。

在一些實施例中，所述第一記錄值包括第一狀態值，所述第二記錄值包括第二狀態值，所述根據所述第一記錄值和第二記錄值，確定每一閾值電壓的偏移程度，包括：

計算所述第一狀態值與第二狀態值的差值；

根據所述差值，確定步進量；

根據所述步進量，確定閾值電壓的偏移程度。

在一些實施例中，所述根據所述第一單元數量以及第二單元數量，確定每一閾值電壓的偏移方向，包括：

根據前一電壓分布狀態對應的第一單元數量和第二單元數量，確定前一電壓分布狀態對應的閾值電壓的偏移方向；