[發明專利]一種重讀管理方法、固態硬盤控制器及固態硬盤

在審

• 申請號: 202011539962.6
• 申請日: 2020-12-23
• 公開（公告）號: CN112562766A
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發明（設計）人: 方浩俊;黃運新
• 申請（專利權）人: 深圳大普微電子科技有限公司
• 主分類號: G11C16/34
• 分類號: G11C16/34;G06F11/07
• 代理公司: 深圳市六加知識產權代理有限公司 44372
• 代理人: 孟麗平

1.一種重讀管理方法，其特征在于，所述方法包括：

獲取在寫入階段時處于每一電壓分布狀態的第一單元數量，并確定每一電壓分布狀態對應的第一記錄值；

獲取前一次重讀在讀取階段時處于每一電壓分布狀態的第二單元數量，并確定每一電壓分布狀態對應的第二記錄值；

根據所述第一單元數量以及第二單元數量，確定每一閾值電壓的偏移方向；

根據所述第一記錄值和第二記錄值，確定每一閾值電壓的偏移程度；

根據所述閾值電壓的偏移方向以及偏移程度，確定調整后的閾值電壓，并基于調整后的閾值電壓，進行重讀操作。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一記錄值包括第一狀態值，所述第二記錄值包括第二狀態值，所述根據所述第一記錄值和第二記錄值，確定每一閾值電壓的偏移程度，包括：

計算所述第一狀態值與第二狀態值的差值；

根據所述差值，確定步進量；

根據所述步進量，確定閾值電壓的偏移程度。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據所述第一單元數量以及第二單元數量，確定每一閾值電壓的偏移方向，包括：

根據前一電壓分布狀態對應的第一單元數量和第二單元數量，確定前一電壓分布狀態對應的閾值電壓的偏移方向；

根據前一電壓分布狀態對應的閾值電壓的偏移方向，結合后一電壓分布狀態對應的第一單元數量和第二單元數量，確定后一電壓分布狀態對應的閾值電壓的偏移方向。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述根據前一電壓分布狀態對應的閾值電壓的偏移方向，結合后一電壓分布狀態對應的第一單元數量和第二單元數量，確定后一電壓分布狀態對應的閾值電壓的偏移方向，包括：

根據閃存顆粒類型，其電壓分布狀態有M個(M≥2且M是2的冪次方)，按照從低到高進行排列，依次為第1,2,3，…，M-1,M個電壓分布狀態；

根據第N個電壓狀態的偏移量，確定第N+1個電壓狀態的偏移量，其中，N為正整數且N從1到M-1依次遞增，直至確定第M個電壓狀態的偏移量；

根據前一電壓分布狀態的偏移量，確定前一電壓分布狀態對應的閾值電壓的偏移方向，以確定后一電壓分布狀態對應的閾值電壓的偏移方向，直至確定最后一個電壓分布狀態對應的閾值電壓的偏移方向。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在進行重讀操作之前，所述方法還包括：

預先建立重讀等級記錄表，所述重讀等級記錄表包括至少兩個重讀等級；

在正常讀操作時，判斷是否存在重讀等級記錄表；

若是，則在有不可糾正錯誤時，查詢所述重讀等級記錄表，確定重讀等級，并基于所述重讀等級進行第一次重讀操作；

若否，則選擇初始重讀等級進行第一次重讀操作。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

在第一次重讀操作完成之后，若依然有不可糾正錯誤，則進一步判斷重讀次數是否達到最大；

若是，則記錄當前讀失敗，并重置所述重讀等級記錄表；

若否，則獲取在寫入階段時處于每一電壓分布狀態的第一單元數量，并確定每一電壓分布狀態對應的第一記錄值；

獲取前一次重讀在讀取階段時處于每一電壓分布狀態的第二單元數量，并確定每一電壓分布狀態對應的第二記錄值；

根據所述第一單元數量以及第二單元數量，確定每一閾值電壓的偏移方向；

根據所述第一記錄值和第二記錄值，確定每一閾值電壓的偏移程度；

根據所述閾值電壓的偏移方向以及偏移程度，確定調整后的閾值電壓，并基于調整后的閾值電壓，進行第二次重讀操作。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

在第二次重讀操作完成之后，進行循環判斷是否有不可糾正錯誤，直至重讀次數達到最大，或者，沒有不可糾正錯誤；

若沒有不可糾正錯誤，則記錄當前讀成功，并更新所述重讀等級記錄表。