[發明專利]存儲器設備及其操作方法在審
| 申請號: | 202011539051.3 | 申請日: | 2020-12-23 |
| 公開(公告)號: | CN113096701A | 公開(公告)日: | 2021-07-09 |
| 發明(設計)人: | M·F·佩羅尼;F·E·C·迪塞格尼;M·卡魯索;C·托爾蒂 | 申請(專利權)人: | 意法半導體股份有限公司 |
| 主分類號: | G11C8/10 | 分類號: | G11C8/10;G11C7/18;G11C5/02;G11C11/407 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 羅利娜 |
| 地址: | 意大利阿格*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 存儲器 設備 及其 操作方法 | ||
本公開的各實施例涉及存儲器設備及其操作方法。實施例的非易失性存儲器設備包括以行和列布置的存儲器單元的陣列;多個局部位線;以及多個主位線,每個主位線可耦合到局部位線的對應的子集。每個列的存儲器單元被耦合到對應的局部位線。存儲器設備還包括列解碼器,列解碼器可以被電子地控制以便將每個主位線耦合到局部位線的對應的子集的選擇的局部位線。列解碼器將每個主位線耦合到對應的選擇的局部位線的兩個不同的點。
本申請要求于2019年12月23日提交的意大利申請No.102019000025411的權益,該申請通過引用并入本文。
技術領域
實施例總體上涉及一種非易失性存儲器設備及其操作方法,該存儲器設備包括列解碼器,該列解碼器減小沿選擇的局部位線的電壓降。
背景技術
相變存儲器(PCM)通常利用具有在具有不同的電特性的相之間切換的特性的材料的特征以便存儲數據。
發明內容
一個實施例的非易失性存儲器設備包括:以行和列布置的存儲器單元的陣列;多個局部位線;以及多個主位線,每個主位線可耦合到局部位線的對應的子集。每個列的存儲器單元被耦合到對應的局部位線。存儲器設備還包括列解碼器,列解碼器可以被電子地控制以便將每個主位線耦合到局部位線的對應的子集的選擇的局部位線。列解碼器被配置為將每個主位線耦合到對應的選擇的局部位線的兩個不同點。
在根據前述實施例的進一步的實施例中,每個局部位線包括第一點和第二點,對應的列的、屬于第一行和最后一行的存儲器單元被分別地耦合到第一點和第二點;其中列解碼器被配置為將每個主位線耦合到對應的選擇的局部位線的第一點和第二點。
在根據前述實施例中的一個實施例的進一步的實施例中,列解碼器包括第一子電路和第二子電路;其中對于每個主位線,第一子電路包括用于局部位線的對應的子集的每個局部位線的對應的頂部開關,對應的頂部開關被設置在主位線與局部位線的第一點之間;并且其中對于每個主位線,第二子電路包括用于局部位線的對應的子集的每個局部位線的對應的底部開關,對應的底部開關被設置在主位線與局部位線的第二點之間。
在根據前述實施例中的一個實施例的進一步的實施例中,頂部開關和底部開關是金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。
在根據前述實施例中的一個實施例的進一步的實施例中,第一子電路和第二子電路彼此相同并且相對于存儲器單元的陣列被對稱地布置。
在根據前述實施例中的一個實施例的進一步的實施例中,每個存儲器單元包括相應的選擇器和相應的相變元件,相應的相變元件可以被配置為具有第一電阻值或第二電阻值,第一電阻值和第二電阻值與對應的邏輯數據相關聯。
在根據前述實施例中的一個實施例的進一步的實施例中,選擇器由雙極晶體管形成。
一種實施例的電子裝置包括:根據前述實施例中的任一個實施例的存儲器設備;控制器;總線,被配置為電氣地耦合控制器和存儲器設備。
附圖說明
為了更好地理解本發明,現在將純粹地通過非限制性示例的方式參照附圖描述本發明的優選實施例,其中:
圖1示出了存儲器設備的框圖;
圖2和圖3示出了圖1所示的存儲器設備的部分的框圖;
圖4A示出了進一步的存儲器設備的框圖;
圖4B示出了在圖4A中示出的存儲器設備的部分的框圖;
圖5示出了本存儲器設備的部分的框圖;并且
圖6示出了結合了本存儲器設備的電子裝置的框圖。
具體實施方式
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