[發明專利]存儲器設備及其操作方法

在審

• 申請號: 202011539051.3
• 申請日: 2020-12-23
• 公開（公告）號: CN113096701A
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發明（設計）人: M·F·佩羅尼;F·E·C·迪塞格尼;M·卡魯索;C·托爾蒂
• 申請（專利權）人: 意法半導體股份有限公司
• 主分類號: G11C8/10
• 分類號: G11C8/10;G11C7/18;G11C5/02;G11C11/407
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 羅利娜

1.一種非易失性存儲器設備，包括：

以行和列布置的存儲器單元的陣列；

多個局部位線；

多個主位線，其中每個主位線可耦合到局部位線的對應的子集，并且其中每個列的所述存儲器單元被耦合到對應的局部位線；以及

列解碼器，其中所述列解碼器是電子可控的，以將每個主位線耦合到局部位線的所述對應的子集的選擇的局部位線，并且其中所述列解碼器被配置為將每個主位線耦合到對應的所述選擇的局部位線的兩個不同的點。

2.根據權利要求1所述的存儲器設備，

其中每個局部位線包括第一點和第二點，所述對應的列的、屬于第一行和最后一行的所述存儲器單元分別地被耦合到所述第一點和所述第二點；并且

其中所述列解碼器被配置為將每個主位線耦合到對應的所述選擇的局部位線的所述第一點和所述第二點。

3.根據權利要求2所述的存儲器設備，

其中所述列解碼器包括第一子電路和第二子電路；

其中，對于每個主位線，所述第一子電路包括用于局部位線的所述對應的子集的每個局部位線的對應的頂部開關，對應的所述頂部開關被設置在所述主位線與所述局部位線的所述第一點之間；并且

其中，對于每個主位線，所述第二子電路包括用于局部位線的所述對應的子集的每個局部位線的對應的底部開關，對應的所述底部開關被設置在所述主位線與所述局部位線的所述第二點之間。

4.根據權利要求3所述的存儲器設備，其中所述頂部開關和所述底部開關是金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。

5.根據權利要求3所述的存儲器設備，其中所述第一子電路和所述第二子電路彼此相同，并且相對于存儲器單元的所述陣列被對稱地布置。

6.根據權利要求1所述的存儲器設備，其中每個存儲器單元包括相應的選擇器和相應的相變元件，相應的所述相變元件被配置為具有第一電阻值或第二電阻值，所述第一電阻值和所述第二電阻值能夠與對應的邏輯數據相關聯。

7.根據權利要求6所述的存儲器設備，其中每個相應的選擇器包括雙極晶體管。

8.一種電子裝置，包括：

存儲器設備，包括：

以行和列布置的存儲器單元的陣列；

多個局部位線；

多個主位線，其中每個主位線可耦合到局部位線的對應的子集，并且其中每個列的所述存儲器單元被耦合到對應的局部位線；以及

列解碼器，其中所述列解碼器是電子可控的，以將每個主位線耦合到局部位線的所述對應的子集的選擇的局部位線，并且其中所述列解碼器被配置為將每個主位線耦合到對應的所述選擇的局部位線的兩個不同的點；

控制器；以及

總線，電氣地耦合所述控制器和所述存儲器設備。

9.根據權利要求8所述的電子裝置，

其中每個局部位線包括第一點和第二點，所述對應的列的、屬于第一行和最后一行的所述存儲器單元被分別地耦合到所述第一點和所述第二點；并且

其中所述列解碼器被配置為將每個主位線耦合到對應的所述選擇的局部位線的所述第一點和所述第二點。

10.根據權利要求9所述的電子裝置，

其中所述列解碼器包括第一子電路和第二子電路；

其中，對于每個主位線，所述第一子電路包括用于局部位線的所述對應的子集的每個局部位線的對應的頂部開關，對應的所述頂部開關被設置在所述主位線與所述局部位線的所述第一點之間；并且

其中，對于每個主位線，所述第二子電路包括用于局部位線的所述對應的子集的每個局部位線的對應的底部開關，對應的所述底部開關被設置在所述主位線與所述局部位線的所述第二點之間。

11.根據權利要求10所述的電子裝置，其中所述頂部開關和所述底部開關是金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。