[發明專利]具有豎直護板結構的半導體器件

在審

• 申請號: 202011538276.7
• 申請日: 2020-12-23
• 公開（公告）號: CN113299659A
• 公開（公告）日: 2021-08-24
• 發明（設計）人: 姜信在;李宇城;李正吉;H·崔;韓赫
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11582
• 分類號: H01L27/11582
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 趙南;張青

可以提供一種半導體器件，該半導體器件包括：襯底，其包括單元陣列區和貫通電極區；電極堆疊件，其位于襯底上，并且包括電極；豎直結構，其在單元陣列區內穿過電極堆疊件；豎直護板結構，其位于延伸區內，并且圍繞貫通電極區；以及絕緣層，其位于由豎直護板結構限定的周邊內部，并且與位于電極同一水平。電極可以包括第一突起，其在平面圖中在豎直護板結構之間突出。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2020年2月24日在韓國知識產權專利局提交的韓國專利申請No.10-2020-0022332的優先權，該申請的公開以引用方式全部并入本文中。

技術領域

本公開涉及一種具有豎直護板結構的半導體器件。

背景技術

已經提出了具有多堆疊件結構的三維非易失性存儲器裝置，以實現電子產品的緊湊性和高集成度。非易失性存儲器裝置包括電極、隔離絕緣層和虛設隔離絕緣層。然而，在該技術中，難以將電極設置為通過隔離絕緣層和虛設隔離絕緣層。

發明內容

本公開的一些示例實施例提供了包括豎直護板結構的半導體器件。

根據本公開的示例實施例的半導體器件包括：襯底，其包括單元陣列區和延伸區，延伸區從單元陣列區延伸，并且包括貫通電極區；電極堆疊件，其位于襯底上，電極堆疊件包括交替堆疊的模制層和電極；豎直結構，其在單元陣列區內穿過電極堆疊件；以及豎直護板結構，其位于延伸區內，并且穿過電極堆疊件。豎直護板結構可以在平面圖中圍繞貫通電極區。豎直護板結構中的相鄰的豎直護板結構之間的距離可以小于豎直結構中的相鄰的豎直結構之間的距離。

根據本公開的另一示例實施例的半導體器件包括：襯底，其包括單元陣列區和延伸區，延伸區從單元陣列區延伸，并且包括貫通電極區，貫通電極區包括貫穿電極；電極堆疊件，其位于襯底上，電極堆疊件包括交替堆疊的模制層和電極；豎直結構，其在單元陣列區內穿過電極堆疊件；以及位于延伸區內并且穿過電極堆疊件的內部豎直護板結構和外部豎直護板結構。內部豎直護板結構和外部豎直護板結構可以在平面圖中圍繞貫通電極區。內部豎直護板結構中的每一個與外部豎直護板結構中的對應的一個之間的距離可以小于內部豎直護板結構中的每一個與貫穿電極中的對應的一個之間的距離。內部豎直護板結構中的每一個與外部豎直護板結構中的對應的一個之間的距離可以小于豎直結構中的相鄰的豎直結構之間的距離。

根據本公開的又一示例實施例的半導體器件包括：襯底，其包括單元陣列區和延伸區，延伸區從單元陣列區延伸，并且包括貫通電極區；電極堆疊件，其位于襯底上，電極堆疊件包括交替堆疊的模制層和電極；外圍電路結構，其位于襯底與電極堆疊件之間；下導電層，其位于外圍電路結構上；連接導電層，其在單元陣列區內位于下導電層上；連接模制層，其在延伸區內位于下導電層上；支撐件，其位于連接導電層和連接模制層上，在支撐件上具有電極堆疊件；埋置絕緣層，其位于貫通電極區中，同時穿過下導電層、連接模制層和支撐件；豎直結構，其在單元陣列區內穿過電極堆疊件；豎直護板結構，其位于延伸區中，同時穿過電極堆疊件，豎直護板結構在平面圖中圍繞貫通電極區；以及絕緣層，其位于由豎直護板結構限定的周邊內部，并且與電極位于同一水平。電極可以包括第一突起，其被配置為在平面圖中與豎直護板結構接觸。

根據本公開的示例實施例的制造半導體器件的方法可以包括形成包括單元陣列區和延伸區的襯底，延伸區包括貫通電極區；在襯底上形成外圍電路結構；在外圍電路結構上形成包括交替堆疊的模制層和絕緣層的模制堆疊件；在單元陣列區內形成穿過模制堆疊件的豎直結構；在延伸區內形成豎直護板結構，豎直護板結構穿過模制堆疊件并且圍繞貫通電極區；形成隔離絕緣層和虛設隔離絕緣層，隔離絕緣層穿過模制堆疊件并且在第一水平方向上延伸，虛設隔離絕緣層在隔離絕緣層之間在第一水平方向上延伸，隔離絕緣層和虛設隔離絕緣層在與第一水平方向相交的第二水平方向上彼此間隔開；部分地去除絕緣層；以及在模制層之間形成電極。

附圖說明