[發明專利]具有豎直護板結構的半導體器件

在審

• 申請號: 202011538276.7
• 申請日: 2020-12-23
• 公開（公告）號: CN113299659A
• 公開（公告）日: 2021-08-24
• 發明（設計）人: 姜信在;李宇城;李正吉;H·崔;韓赫
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11582
• 分類號: H01L27/11582
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 趙南;張青

1.一種半導體器件，包括：

襯底，其包括單元陣列區和延伸區，所述延伸區從所述單元陣列區延伸，并且包括貫通電極區；

電極堆疊件，其位于所述襯底上，所述電極堆疊件包括交替堆疊的模制層和電極；

豎直結構，其在所述單元陣列區內穿過所述電極堆疊件；以及

豎直護板結構，其位于所述延伸區內，并且穿過所述電極堆疊件，在平面圖中，所述豎直護板結構圍繞所述貫通電極區，

其中，所述豎直護板結構中的相鄰的豎直護板結構之間的距離小于所述豎直結構中的相鄰的豎直結構之間的距離。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述電極包括在所述平面圖中在所述豎直護板結構之間突出的第一突起。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，還包括：

絕緣層，其位于由所述豎直護板結構限定的周邊內部，并且所述絕緣層分別與所述電極中的對應電極位于同一水平，

其中，在豎直截面圖中，所述電極和所述絕緣層通過所述豎直護板結構彼此隔離。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其中，所述絕緣層包括在所述平面圖中在所述豎直護板結構之間突出的第二突起。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其中，所述第一突起在所述豎直護板結構之間與所述第二突起接觸。

6.根據權利要求2所述的半導體器件，還包括：

一對隔離絕緣層，其在第一水平方向上延伸并且豎直地穿過所述電極堆疊件，所述一對隔離絕緣層在與所述第一水平方向相交的第二水平方向上彼此間隔開；以及

虛設隔離絕緣層，其在所述第一水平方向上延伸，并且在所述一對隔離絕緣層之間在所述第二水平方向上彼此間隔開，

其中，所述豎直護板結構在所述第一水平方向上與所述虛設隔離絕緣層間隔開，并且在所述第二水平方向上位于所述一對隔離絕緣層之間。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其中，從所述虛設隔離絕緣層沿著所述第一水平方向到所述電極的第一突起的第一最大距離小于相鄰的一對所述虛設隔離絕緣層之間的距離的1/2。

8.根據權利要求6所述的半導體器件，其中，從所述一對隔離絕緣層沿著所述第二水平方向到所述電極的第一突起的第二最大距離小于相鄰的一對所述虛設隔離絕緣層之間的距離的1/2。

9.根據權利要求6所述的半導體器件，其中，所述豎直護板結構在豎直截面圖中具有錐形形狀。

10.根據權利要求9所述的半導體器件，其中，從所述虛設隔離絕緣層沿著所述第一水平方向到所述電極中的最下電極的第一突起的最大距離小于相鄰的一對所述虛設隔離絕緣層之間的距離的1/2。

11.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，相鄰的豎直護板結構之間的距離小于相鄰的豎直結構之間的距離的1/2。

12.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述豎直護板結構彼此接觸。

13.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

虛設豎直結構，其在所述延伸區內穿過所述電極堆疊件。

14.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

外圍電路結構，其位于所述襯底與所述電極堆疊件之間；以及

貫穿電極，其豎直地穿過所述電極堆疊件，并且在所述貫通電極區內連接到所述外圍電路結構。