[發(fā)明專利]STI平坦化方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011536427.5
• 申請(qǐng)日: 2020-12-23
• 公開（公告）號(hào): CN112670235A
• 公開（公告）日: 2021-04-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王妍;宋歡歡;吳建榮;馮凱
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華虹半導(dǎo)體（無(wú)錫）有限公司;上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/762
• 分類號(hào): H01L21/762;H01L21/306
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 焦健

1.一種STI平坦化方法，其特征在于：在半導(dǎo)體襯底上刻蝕形成STI溝槽；在所述STI溝槽中完成填充物淀積之后，在工藝腔內(nèi)通入刻蝕氣體處理工藝，通過刻蝕氣體的刻蝕，將填充物表面的毛刺去除。

2.如權(quán)利要求1所述的STI平坦化方法，其特征在于：所述的填充物為氧化硅或者氮化硅。

3.如權(quán)利要求1所述的STI平坦化方法，其特征在于：所述的填充物淀積之后，由于濺射作用其具有不平整的表面，在有源區(qū)上方形成許多細(xì)小的尖刺，在進(jìn)行平坦化時(shí)這些尖刺會(huì)脫落形成顆粒，劃傷晶圓表面。

4.如權(quán)利要求1所述的STI平坦化方法，其特征在于：所述的刻蝕氣體處理工藝，利用刻蝕氣體的刻蝕作用，將填充物表面的尖刺刻蝕掉，形成更加光滑的表面。

5.如權(quán)利要求1所述的STI平坦化方法，其特征在于：所述的半導(dǎo)體襯底為硅襯底、鍺硅襯底、砷化鎵襯底或者氮化鎵襯底。

6.如權(quán)利要求3所述的STI平坦化方法，其特征在于：所述的平坦化工藝為化學(xué)機(jī)械研磨工藝。

7.如權(quán)利要求1所述的STI平坦化方法，其特征在于：所述的刻蝕氣體為三氟化氮。